遼寧晶圓級FIB制樣TEM/SEM分析-超薄樣品切片服務(wù)

【先進(jìn)制程芯片F(xiàn)IB-TEM集成分析】

隨著芯片制程進(jìn)入7nm及以下節(jié)點(diǎn)，傳統(tǒng)顯微技術(shù)難以滿足納米級結(jié)構(gòu)解析需求。通過DB-FIB制備超薄樣品，結(jié)合TEM實現(xiàn)原子級分辨率成像與成分分析。服務(wù)重點(diǎn)針對金屬層、M0層、FinFET等關(guān)鍵結(jié)構(gòu)，用于工藝穩(wěn)定性驗證、競品分析與逆向工程。【廣電計量電鏡掃描測試】擁有消除窗簾效應(yīng)、階梯減薄等專利技術(shù)，確保樣品無損與圖像清晰。該服務(wù)已成為國內(nèi)晶圓廠與設(shè)計公司不可或缺的技術(shù)支撐。

【熱敏感型TEM樣品框架結(jié)構(gòu)法制備】
針對鋰電材料、石墨烯電極等熱敏感樣品，新型框架結(jié)構(gòu)法DB-FIB制樣技術(shù)通過構(gòu)建支撐框架，避免離子束輻照導(dǎo)致的結(jié)構(gòu)熔融或相變，確保超薄切片的完整性。該服務(wù)按小時計費(fèi)，已成功應(yīng)用于多家新能源企業(yè)與科研機(jī)構(gòu)，推動新材料研發(fā)與性能優(yōu)化?！緩V電計量SEM/TEM測試服務(wù)】

【3nm國產(chǎn)芯片分析案例與行業(yè)影響】
近期，成功完成3nm國產(chǎn)手機(jī)處理器芯片的晶圓級FIB-TEM分析，解析其FinFET與金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu)，助力客戶突破技術(shù)瓶頸。該案例彰顯我們在先進(jìn)制程領(lǐng)域的領(lǐng)先能力，并獲得央視報道關(guān)注。【廣電計量SEM/TEM測試服務(wù)】以原子級表征與全產(chǎn)業(yè)鏈服務(wù)，為中國半導(dǎo)體自主創(chuàng)新提供堅實支撐。