SMU數(shù)字源表搭建場(chǎng)效應(yīng)晶體管IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)平臺(tái)

本科生微電子器件及材料實(shí)驗(yàn)?zāi)夸?br /> 實(shí)驗(yàn)一：金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)二：四探針?lè)y(cè)量半導(dǎo)體電阻率測(cè)試實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)三： MOS電容的CV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)四：半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測(cè)試實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)五：激光二極管LD的LIV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)六：太陽(yáng)能電池的特性表征實(shí)驗(yàn)

本科生微電子器件及材料實(shí)驗(yàn)測(cè)試平臺(tái)優(yōu)勢(shì)
滿足本科生基礎(chǔ)教學(xué)實(shí)驗(yàn)中微電子器件和材料測(cè)試需求
測(cè)試設(shè)備簡(jiǎn)單易用，專業(yè)權(quán)威，方便學(xué)生動(dòng)手操作
核心設(shè)備測(cè)試精度高，滿足新材料和新器件的指標(biāo)要求
測(cè)試軟件功能齊全，平臺(tái)化設(shè)計(jì)，有專人維護(hù)支持，與專業(yè)測(cè)試軟件使用相同架構(gòu)
以基礎(chǔ)平臺(tái)為起點(diǎn)，可逐步升級(jí)，滿足日益增加的實(shí)驗(yàn)室測(cè)試需求

本科生微電子器件及材料實(shí)驗(yàn)測(cè)試平臺(tái)基本功能

實(shí)驗(yàn)名稱

測(cè)試參數(shù)
金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)

l 輸出特性曲線

l 轉(zhuǎn)移特性曲線

l 跨導(dǎo)gm

l 擊穿電壓BVDS

本科生微電子器件及材料實(shí)驗(yàn)測(cè)試平臺(tái)核心
測(cè)試平臺(tái)的核心– 源測(cè)量單元（源表， SMU）

普賽斯國(guó)產(chǎn)源表五表合一 四象限模式
四線/開(kāi)爾文測(cè)試功能
小信號(hào)測(cè)試
滿足先進(jìn)器件和材料測(cè)試需求

交流測(cè)試使用LCR表

探針臺(tái)：4寸或6寸手動(dòng)探針臺(tái)