顯微分析及失效分析-山西晶圓級FIB制樣TEM/SEM分析

【FinFET結(jié)構(gòu)原子級表征案例】

FinFET作為先進(jìn)制程核心結(jié)構(gòu)，其柵極寬度與界面質(zhì)量直接影響芯片性能。通過DB-FIB制備FinFET超薄切片，利用TEM獲得原子級形貌與晶格圖像。案例顯示，我們成功解析了3nm芯片中Fin的側(cè)壁粗糙度、柵氧層厚度與界面缺陷，為客戶提供工藝優(yōu)化依據(jù)?！緩V電計(jì)量SEM/TEM測試服務(wù)】涵蓋晶圓級制造與失效分析，結(jié)合EDS進(jìn)行成分映射，全面支撐高端芯片研發(fā)與量產(chǎn)。

【FIB窗簾效應(yīng)消除技術(shù)優(yōu)勢】
窗簾效應(yīng)是FIB制樣中常見的圖像偽影問題，影響TEM觀察精度。廣電計(jì)量擁有專利技術(shù)，通過優(yōu)化離子束掃描策略與樣品傾轉(zhuǎn)，有效消除該效應(yīng)。該方法已應(yīng)用于多種敏感材料，如有機(jī)半導(dǎo)體與鋰電電極，獲得無失真高分辨圖像?！緩V電計(jì)量電鏡掃描測試】持續(xù)創(chuàng)新制樣工藝，確保每一份TEM數(shù)據(jù)的真實(shí)性與可靠性。

【半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈檢測服務(wù)能力】
構(gòu)建從設(shè)計(jì)驗(yàn)證、晶圓制造、封裝測試到終端應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈檢測平臺。通過DB-FIB與TEM技術(shù)，支持芯片全過程分析與可靠性提升，覆蓋“從圖紙到產(chǎn)品”的生命周期。服務(wù)獲CNAS、CMA權(quán)威認(rèn)可，項(xiàng)目數(shù)量行業(yè)領(lǐng)先，【廣電計(jì)量SEM/TEM測試服務(wù)】成為國內(nèi)半導(dǎo)體生態(tài)中不可或缺的第三方力量。