西碼進口N640CH30可控硅配件性能可靠

電壓

1600

電流

1200

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晶閘管的發(fā)展歷史及制約因素
半導體的出現(xiàn)成為20世紀現(xiàn)代物理學其中一項重大的突破，標志著電子技術(shù)的誕生。而由于不同領(lǐng)域的實際需要，促使半導體器件自此分別向兩個分支快速發(fā)展，其中一個分支即是以集成電路為代表的微電子器件，特點為小功率、集成化，作為信息的檢出、傳送和處理的工具；而另一類就是電力電子器件，特點為大功率、快速化。1955年，美國通用電氣公司研發(fā)了世界上個以硅單晶為半導體整流材料的硅整流器（SR），1957年又開發(fā)了全球用于功率轉(zhuǎn)換和控制的可控硅整流器（SCR）。由于它們具有體積小、重量輕、效率高、壽命長的優(yōu)勢，尤其是SCR能以微小的電流控制較大的功率，令半導體電力電子器件成功從弱電控制領(lǐng)域進入了強電控制領(lǐng)域、大功率控制領(lǐng)域。在整流器的應用上，晶閘管迅速取代了整流器（引燃管），實現(xiàn)整流器的固體化、靜止化和無觸點化，并獲得巨大的節(jié)能效果。從1960年始，由普通晶閘管相繼出了快速晶閘管、光控晶閘管、不對稱晶閘管及雙向晶閘管等各種特性的晶閘管，形成一個龐大的晶閘管家族。
但晶閘管本身存在兩個制約其繼續(xù)發(fā)展的重要因素。一是控制功能上的欠缺，普通的晶閘管屬于半控型器件，通過門極（控制極）只能控制其開通而不能控制其關(guān)斷，導通后控制極即不再起作用，要關(guān)斷必須切斷電源，即令流過晶閘管的正向電流小于維持電流。由于晶閘管的關(guān)斷不可控的特性，必須另外配以由電感、電容及開關(guān)器件等組成的強迫換流電路，從而使裝置體積，成本增加，而且系統(tǒng)更為復雜、可靠性降低。二是因為此類器件立足于分立元件結(jié)構(gòu)，開通損耗大，工作頻率難以提高，限制了其應用范圍。1970年代末，隨著可關(guān)斷晶閘管（GTO）日趨成熟，成功克服了普通晶閘管的缺陷，標志著電力電子器件已經(jīng)從半控型器件發(fā)展到全控型器件

KP晶閘管的特點如下：
1. 具有高電流承受能力：KP晶閘管能夠承受較高的電流，通常可達幾百安培。
2. 具有高電壓承受能力：KP晶閘管能夠承受較高的電壓，通?？蛇_幾千伏。
3. 具有快速開關(guān)特性：KP晶閘管的開關(guān)速度較快，可以實現(xiàn)快速的開關(guān)操作。
4. 具有可控性：KP晶閘管可以通過控制極的電壓或電流來控制其導通和截止狀態(tài)。
5. 具有高溫工作能力：KP晶閘管可以在高溫環(huán)境下正常工作，通常可達幾百攝氏度。
6. 具有較低的開啟壓降：KP晶閘管的開啟壓降較低，可以減小功率損耗。
7. 具有較高的可靠性：KP晶閘管的可靠性較高，壽命長，不易損壞。
總之，KP晶閘管具有高電流、高電壓承受能力，快速開關(guān)特性，可控性強，適用于高溫環(huán)境，并具有較低的開啟壓降和較高的可靠性。

名稱：平板式可控硅的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種平板式可控硅。
背景技術(shù)：
可控硅又稱晶間管，晶間管整流器具有耐壓高、容量大、效率高、控制特性好、體積小、壽命長等諸多優(yōu)點，發(fā)展迅猛。在世紀應用中，大功率晶間管整流裝置一般采用平板式可控硅，其特點是可作雙面冷卻。目前大功率平板式可控硅的封裝普遍采用陶瓷外殼的封裝結(jié)構(gòu)形式，雖然陶瓷材料能夠絕緣、耐熱，但因為陶瓷工藝易碎、雜質(zhì)難控制等特點，其加工要求非常高，且封裝時需要經(jīng)過焊接在內(nèi)的多道工序，工藝復雜，成本高，封裝后良率偏低，返工需破壞性地拆封。
電磁爐、變頻器、逆變器、UPS電源、EPS電源、開關(guān)電源、電機控制、變焊機、固態(tài)繼電器、有源濾波器、風力發(fā)電設(shè)備、工業(yè)傳動裝置、電梯或傳動設(shè)備、機車與列車用電源、電能表、照明電器等各種產(chǎn)品上。