廣州集成電路硅片激光鉆孔微小孔加工

200元2022-11-20 07:54:24
  • 北京華諾恒宇光能科技有限公司
  • 硅片切割打孔
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詳情

產(chǎn)地 北京 分類 硅片切割
切割加工最小縫隙 0.05mm 加工厚度范圍 0.1--2mm
加工方式 激光切割 品牌 HE
微信號 13011886131 服務(wù)范圍 全國
硅片大小加工范圍 300mm 聯(lián)系人 張經(jīng)理

廣州集成電路硅片激光鉆孔微小孔加工

傳統(tǒng)機械加工硅片的劣勢：
傳統(tǒng)硅片切割方式是機械切割，速度慢、斷面平整性差、碎片多、不環(huán)保。硅是一種脆性材料，機械切割極易使邊緣產(chǎn)生破裂，造成硅表面彈性應變區(qū)、位錯網(wǎng)絡(luò)區(qū)和碎晶區(qū)的組成層損傷，甚至可能造成隱形裂紋，影響電性參數(shù)等危害。激光切割技術(shù)具有無接觸、無機械應力、切縫寬度小、斷面平整光滑、精度高、速度快、性能穩(wěn)定等優(yōu)勢；


激光加工的應用
激光加工技術(shù)應用廣泛，且在很多行業(yè)都已經(jīng)很成熟，比如航空航天、新能源鋰電、光伏太陽能、顯示與半導體、PCB行業(yè)、電子信息行業(yè)、機械五金行業(yè)、家電廚衛(wèi)行業(yè)、鈑金加工行業(yè)、包裝行業(yè)，以及電子煙行業(yè)等領(lǐng)域，對于提高勞動生產(chǎn)率、提高產(chǎn)品質(zhì)量、實現(xiàn)自動化生產(chǎn)、保護環(huán)境、減少材料資源消耗、降低生產(chǎn)成本等起著十分重要的作用。

激光隱形切割作為激光切割晶圓的一種方案，很好的避免了砂輪劃片存在的問題。激光隱形切割是通過將脈沖激光的單個脈沖通過光學整形，讓其透過材料表面在材料內(nèi)部聚焦，在焦點區(qū)域能量密度較高，形成多光子吸收非線性吸收效應，使得材料改性形成裂紋。每一個激光脈沖等距作用，形成等距的損傷即可在材料內(nèi)部形成一個改質(zhì)層。在改質(zhì)層位置材料的分子鍵被破壞，材料的連接變的脆弱而易于分開。切割完成后通過拉伸承載膜的方式，將產(chǎn)品充分分開，并使得芯片與芯片之間產(chǎn)生間隙。這樣的加工方式避免了機械的直接接觸和純水的沖洗造成的破壞。目前激光隱形切割技術(shù)可應用于藍寶石/玻璃/硅以及多種化合物半導體晶圓。

激光屬于無接觸式加工，不對晶圓產(chǎn)生機械應力的作用，對晶圓損傷較小。由于激光在聚焦上的優(yōu)點，聚焦點可小到微米數(shù)量級，從而對晶圓的微處理更具有優(yōu)越性，可以進行小部件的加工；即使在不高的脈沖能量水平下，也能得到較高的能量密度，有效地進行材料加工。大多數(shù)材料吸收激光直接將硅材料氣化，形成溝道。從而實現(xiàn)切割的目的因為光斑點較小，最低限度的炭化影響。

隨著硅半導體集成電路的廣泛應用，硅半導體集成電路都要用到晶圓，傳統(tǒng)的晶圓切割方法，都是手工采用金剛石刀進行切割，在晶圓上劃分出若干個圓環(huán)，在劃分出的圓環(huán)上切割出面積相等或者近似相等的小圓弧體?；蛘卟捎玫氖欠蔷鶆驁A環(huán)、同一圓心角內(nèi)進行切割的切割方法，這種晶圓切割方法的耗材大，經(jīng)常要更換刀具，切割出來的晶圓芯片相距的寬度比較大，不均勻，所能切割的材料單一，適用性差，效率低下。
因此晶圓激光切割的方法工作效率高、能精確地調(diào)整待切割晶圓的各個方向的位置、精度高、全自動運行，對晶圓切割的位置進行準確定位，切割出來的晶圓芯片均勻、美觀，能切割多種材料，適應性強，可以避免薄晶圓因切割破裂

激光切割技術(shù)集光學、精密機械、電子技術(shù)和計算機技術(shù)于一體，于傳統(tǒng)方法相比
1、加工速度快；2、窄切槽（20um-30um），晶圓利用率高；3、非接觸式加工，適合薄基圓；4、自動化程度高，任意圖形切割。目前激光切割技術(shù)可以應用于切割硅片、低k材料、發(fā)光二極管襯底、微機電系統(tǒng)和薄膜太陽能電池等光電及半導體材料。

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