深圳石英玻璃硅片激光切割微小孔加工

200元2022-11-23 08:08:17
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詳情

產(chǎn)地 北京 分類 硅片切割
切割加工最小縫隙 0.05mm 加工厚度范圍 0.1--2mm
加工方式 激光切割 品牌 HE
微信號 13011886131 服務(wù)范圍 全國
硅片大小加工范圍 300mm 聯(lián)系人 張經(jīng)理

深圳石英玻璃硅片激光切割微小孔加工

硅片切割機又名硅片激光切割機，激光劃片機。是激光劃片機在 電子行業(yè)硅基片的切割的又一新領(lǐng)域的應(yīng)用。激光劃片是利用高能激光束照射在工件表面,使被照射區(qū)域局部熔化、氣化、從而達到劃片的目的。因激光是經(jīng)專用光學系統(tǒng)聚焦后成為一個非常小的光點，能量密度高，因其加工是非接觸式的，對工件本身無機械沖壓力，工件不易變形。熱影響極小，劃精度高，廣泛應(yīng)用于太陽能電池板、薄金屬片的切割和劃片


硅片激光切割設(shè)備的特點：
·高配置：采用進口光纖激光器，光束質(zhì)量更好（標準基模）、切縫更細（30μm）、邊緣更平整光滑。
·免維護：整機采用國際標準模塊化設(shè)計，真正免維護、不間斷連續(xù)運行、無消耗性易損件更換。
·操作方便：設(shè)備集成風冷設(shè)置，設(shè)備體積更小，操作更簡單。
·專用控制軟件：專為激光劃片機而設(shè)計的控制軟件，操作簡單，能實時顯示劃片路徑。
·工作效率高：T型臺雙工位交替運行，提高工作效率。

超薄硅片打孔是一項非常精細的工序，因為硅片較薄，打孔的時候不能損壞其表面的精度，打孔的密度、孔徑大小需要達到一定的精度以及所要求的大小。
激光打孔是將光斑直徑縮小到微米級，從而獲得高的激光功率密度，幾乎可以在任何材料實行激光打孔。其特點是可以在硬度高、質(zhì)地脆或者軟的材料上打孔，孔徑小、加工速度快、效率高。
超薄硅片使用激光打孔可以打出小孔:1.00～3.00(mm);次小孔:0.40～1.00(mm);超小孔:0.1～0.40(mm);微孔:0.01～0.10(mm);

隨著硅半導體集成電路的廣泛應(yīng)用，硅半導體集成電路都要用到晶圓，傳統(tǒng)的晶圓切割方法，都是手工采用金剛石刀進行切割，在晶圓上劃分出若干個圓環(huán)，在劃分出的圓環(huán)上切割出面積相等或者近似相等的小圓弧體?；蛘卟捎玫氖欠蔷鶆驁A環(huán)、同一圓心角內(nèi)進行切割的切割方法，這種晶圓切割方法的耗材大，經(jīng)常要更換刀具，切割出來的晶圓芯片相距的寬度比較大，不均勻，所能切割的材料單一，適用性差，效率低下。
因此晶圓激光切割的方法工作效率高、能精確地調(diào)整待切割晶圓的各個方向的位置、精度高、全自動運行，對晶圓切割的位置進行準確定位，切割出來的晶圓芯片均勻、美觀，能切割多種材料，適應(yīng)性強，可以避免薄晶圓因切割破裂

激光切割技術(shù)集光學、精密機械、電子技術(shù)和計算機技術(shù)于一體，于傳統(tǒng)方法相比
1、加工速度快；2、窄切槽（20um-30um），晶圓利用率高；3、非接觸式加工，適合薄基圓；4、自動化程度高，任意圖形切割。目前激光切割技術(shù)可以應(yīng)用于切割硅片、低k材料、發(fā)光二極管襯底、微機電系統(tǒng)和薄膜太陽能電池等光電及半導體材料。

晶圓是制造IC的基本原料，而晶圓便是硅元素加以純化，接著將這些純硅制成長硅晶棒，成為制造積體電路的石英半導體的材料，再經(jīng)過照相制版、研磨、拋光、切片等程序，將多晶硅融解后拉出單晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。

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