薄膜電容器B32656A7224J000

2.5元2022-02-16 01:24:43
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  • TDK突波吸收電容
  • MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656J2154J000, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656A8684J000, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656T1154J000, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S0105J565
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薄膜電容器B32656A7224J000

薄膜電容有哪些用途？
金屬化聚丙烯薄膜電容器用途：用于電表降壓供電，載波信號傳輸
特性：（1）低損耗，高阻抗，高耐壓；（2）優(yōu)異的防潮性能；（3）優(yōu)異的阻燃性能；
（4）采用特殊工藝，防止破壞性電暈的產(chǎn)生；（5）長期負(fù)載下優(yōu)異的電容量穩(wěn)定性
金屬化聚酯薄膜電容器用途：旁路、隔直、耦合、退耦、脈沖、邏輯、定時、電路振蕩器

特性：(1)優(yōu)異的抗脈沖能力；(2)優(yōu)異的防潮性能；(3)優(yōu)異的阻燃性能；(4)高容量穩(wěn)定性

金屬化聚丙烯薄膜電容器用途：專門設(shè)計用于電源串聯(lián)的電容降壓電路特性：
(1)低損耗，高阻抗，高耐壓；(2)優(yōu)異的防潮性能；(3)優(yōu)異的阻燃性能；(4)
高容量穩(wěn)定性，采用特殊工藝，防止破壞性電暈的產(chǎn)生(5)粉末包封，電容器體積更小
金屬化聚丙烯薄膜電容器用途：用于電表降壓供電，載波信號傳輸

特性：（1）低損耗，高阻抗，高耐壓；（2）優(yōu)異的防潮性能；（3）優(yōu)異的阻燃性能；
（4）采用特殊工藝，防止破壞性電暈的產(chǎn)生；（5）長期負(fù)載下優(yōu)異的電容量穩(wěn)定性


TDK 薄膜電容器:額定電壓更高的堅固耐用型Y2電容器
TDK公司推出一系列應(yīng)用于EMI抑制的新型愛普科斯 (EPCOS) MKP（金屬化聚丙烯）Y2薄膜電容器——B3203*系列電容器。與額定電壓為300 V AC的傳統(tǒng)型號相比，新型電容器的額定工作電壓高達(dá)350VAC，電容值范圍為4.7nF至1.2μF，可在嚴(yán)苛環(huán)境條件下確保穩(wěn)定的電容值。新型電容器均通過IEC 60384-14:2013/AMD1:2016認(rèn)證，并按照“高濕度條件下III 級耐久性測試B”分類。這些電容器在溫度為85℃，相對濕度為85％，工作電壓為350V AC的環(huán)境條件下進(jìn)行了溫度、濕度、偏置電壓 (THB) 測試，結(jié)果表明其電容量下降量不超過10％。新型電容器的最高工作溫度為110℃。

新型電容器獲得UL和EN認(rèn)證，且符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)。不同型號的電容器的引腳間距會有不同，分別為15mm (B32032*)、22.5mm (B32033*)、27.5mm (B32034*)或37.5mm (B32036*)，具體視電容值而定。電容器的外殼和環(huán)氧樹脂密封的阻燃等級符合UL94 V-0標(biāo)準(zhǔn)的要求。

新型Y2電容器可用于頻繁遭受惡劣環(huán)境影響和額定電壓要求更高的濾波器（如光伏逆變器或車載濾波器），用于抑制電磁干擾。

主要應(yīng)用

惡劣環(huán)境條件下（如光伏逆變器或車載濾波器）的電磁干擾抑制應(yīng)用

主要特點和效益

額定電壓增大至350VAC
寬泛的電容值范圍：4.7nF到1.2μF
通過UL和EN認(rèn)證

TDK集團(tuán)新推出超緊湊型愛普科斯 （EPCOS） 薄膜電容器

TDK集團(tuán)新推出超緊湊型愛普科斯 （EPCOS） 薄膜電容器。該新款電容器適用于逆變器中的直流鏈路，尺寸僅為40 mm x 58 mm（深x長），額定電壓為直流350 V DC，電容值為65 μF。這意味著，這款訂貨號為B32320I2656J011的電容器具有0.9 μF/cm3超高電容密度，可提供比同類競爭產(chǎn)品高出50%的電容量。此外，新電容器占用的印刷電路板 （PCB） 空間相對較小，且等效串聯(lián)電阻 （ESR） 僅為10 mΩ，紋波電流能力強，達(dá)3.7 A。

該電容器采用塑料和環(huán)氧樹脂密封材料，均具備UL 94 V0的阻燃等級，工作溫度范圍為-25 °C到+65 °C。電容器還帶集成熱熔絲設(shè)計，當(dāng)溫度達(dá)到115 °C、電流達(dá)5 A時會自動跳閘。

其典型應(yīng)用包括逆變器中的高頻濾波，如家用電器和一般直流應(yīng)用中。

主要應(yīng)用

逆變器的高頻濾波，一般直流應(yīng)用

主要特點與優(yōu)勢

超緊湊尺寸：40 mm x 58 mm（深x長）

超高電容密度：0.9 μF/cm3

等效串聯(lián)電阻 （ESR）：僅10 mΩ

集成熱熔絲

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