二手儀器價(jià)格可控硅測(cè)試儀BH分析儀

介子分析儀	SY-8219	品牌	Agilent/安捷倫
工作溫度	常溫	顯示方式	數(shù)字式
晶體管	CS-3100	類型	多參數(shù)測(cè)試儀

二手儀器價(jià)格可控硅測(cè)試儀BH分析儀

產(chǎn)品特點(diǎn)

顯示屏: 8.4″ TFT LCD SVGA 800×600像素彩色顯示屏

寬測(cè)量頻率

SY-8218: 正弦波10Hz – 10MHz, 方波在占空比50:50時(shí)10Hz – 1MHz

SY-8219: 正弦波10Hz – 1MHz, 方波在占空比50:50時(shí)10Hz – 1MHz

16倍高速采集數(shù)據(jù) (與巖崎前B-H分析儀型號(hào)比較)

采集數(shù)據(jù)在8,192點(diǎn)/周期執(zhí)行精確參數(shù)測(cè)量, 如Hc (強(qiáng)制力), Br (殘余通量密度) 和其他參數(shù)

脈沖勵(lì)磁功能

正弦波與脈沖(在占空比50:50和1MHz時(shí)) 勵(lì)磁均為標(biāo)準(zhǔn)功能

數(shù)模轉(zhuǎn)換器: 16位 (8,192點(diǎn)/周期)

磁通密度信號(hào)檢測(cè): 感應(yīng)電壓檢測(cè)線圈兩端壓降法. 最大信號(hào)檢測(cè)電壓±200V

寬溫度范圍恒溫箱掃描系統(tǒng)提供汽車車輛標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q200等級(jí)0兼容, 作業(yè)溫度范圍 -55oC ~ +180oC, 4個(gè)樣品測(cè)試 (SY-330)

全自動(dòng)恒溫箱掃描系統(tǒng)提供作業(yè)溫度范圍-30°C ~ +150°C和最多20/41個(gè)樣品測(cè)試 (SY-320A/SY-321A)

DC – 3MH, 最大電壓 ±150V, 最大電流 ±6A雙極性功率放大器 (SY-5001)

DC – 3MHz, 最大電壓 ±75V, 最大電流 ±6A 雙極性功率放大器 (SY-5002)

DC – 10MHz, 最大電壓 ±71V, 最大電流 ±1A 雙極性功率放大器 (HSA4101-IW)

小型片狀樣品磁特性測(cè)試臺(tái)樣品尺吋要求 (SY-956)

樣品的長(zhǎng)度必須是36mm以上

樣品的寬度必須是35mm以下

樣品的厚度必須是3mm以下

最大DC偏置電流30A, 最大AC波紋電流±6A 直流疊加測(cè)試臺(tái) (SY-960/961/962)

二手CS3200日本IWATSU CS-3300半導(dǎo)體特性曲線圖示儀，
半導(dǎo)體特性曲線圖示儀！適用于二極管，晶體管 IGBT，場(chǎng)效應(yīng)管 MOS-FET， 可控硅 SCR，達(dá)林頓陣列，光電耦合，壓變電阻 VARISTOR，繼電器 RELAY 等半導(dǎo)體器件反向 恢復(fù)特性，短路特性，雪崩測(cè)試，結(jié)電容/電阻測(cè)試，漏電參數(shù)，擊穿參數(shù)，增益參數(shù)，導(dǎo) 通參數(shù)，混合參數(shù)，電流-電壓 (I-V)、電容-電壓 (C-V) 特性測(cè)試。

產(chǎn)品功能
電子電力元件或器件測(cè)試波形特性的功能顯示 (附圖)
配備選件 CS-603A (3kV) 或 CS-605A (5kV), 可實(shí)現(xiàn)電子電力器件如SiC和GaN等的電容測(cè)試
在3kV (CS-603A)/5 kV (CS-605A) 作自動(dòng)與掃描電容測(cè)試
曲線圖示儀的測(cè)試適配器可用于各種器件封裝類型
測(cè)試參數(shù)包括:
Cies, Ciss (輸入電容)
Coss (輸出電容)
Cres, Crss (反向傳輸電容)
Ct (端子間的電容)
Cgs, Cge/Cgd, Ccg/Cds, Cce (已計(jì)算)
Rg (柵極電阻)
可實(shí)行晶圓和芯片上的電容測(cè)試 (探針臺(tái)和選件CS-603A/CS-605A)
具有外部聯(lián)鎖功能的恒溫箱高低溫試驗(yàn)
與電腦全自動(dòng)化的完美結(jié)合

模塊或數(shù)個(gè)芯片, 器件自動(dòng)切換測(cè)試
可自動(dòng)控制加熱板, 全自動(dòng)進(jìn)行六合一模塊的溫度特性測(cè)量
測(cè)試結(jié)果窗口 (附圖)
波形比較功能: 可將產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)的不穩(wěn)定狀態(tài)或不良分析時(shí)測(cè)得的多個(gè)波形進(jìn)行同屏比較, 或通過(guò)波形比較來(lái)判斷是否合格 (附圖)
產(chǎn)品應(yīng)用
適用于高電壓或高電流功率器件 (如IGBT和功率MOSFET) 及半導(dǎo)體器件 (如晶體管, 二極管和 LED) 的特性測(cè)試
電力電子器件 (如 SiC和GaN) 的電容測(cè)量 (選件CS-603A/CS-605A)
可實(shí)行晶圓和芯片上的電容測(cè)試 (探針臺(tái)和選件CS-603A/CS-605A)
靜態(tài)特性測(cè)試包括漏電流, 飽和電壓, VF和Vth (附圖)
傳輸特性 (Vge-Ic/Vge-Vce) 和電路模塊的測(cè)試功能
器件測(cè)試
可以在短時(shí)間內(nèi)執(zhí)行多個(gè)器件的測(cè)試和記錄. 操作員只需根據(jù)器件替換和連接更改來(lái)輸入樣本名稱, 以重復(fù)相同的測(cè)試. 在既定條件下判斷 (通過(guò)/失敗) 將顯示每個(gè)測(cè)試與圖像和波形數(shù)據(jù)也將自動(dòng)存儲(chǔ)(附圖)
半導(dǎo)體溫度特性測(cè)試評(píng)估
CS-3100 CS-5300 IWATSU CS-5200/3200/3300 巖崎IGBT半導(dǎo)體曲線,
半導(dǎo)體特性曲線圖示儀 CS-3000系列 (符合 UL 規(guī)格)規(guī)格

項(xiàng)目 CS-3100 CS-3200 CS-3300
集電極電源
模式 高電壓 AC、±全波整流、± DC、±LEAKAGE
大電流 - 脈沖
zui大峰值功率
120 mW、1.2 W、12 W、120 W、390 W
*可以選擇390 W（不含3000 V范圍下的zui大峰值電壓設(shè)置）。

- 大電流模式（400 W、4 kW） 大電流模式（400 W、4 kW、10 kW）
高電壓模式
zui大峰值電流
（zui大峰值脈沖電流） zui大峰值電壓
75 mA (150 mA) 3000 V（2500 V，AC）
750 mA (1.5 A) 300 V
7.5 A (15 A) 30 V
數(shù)據(jù)保存/讀取 內(nèi)置：存儲(chǔ)器（設(shè)置：256，REF波形： 4）
外置：移動(dòng)存儲(chǔ)器（連接至USB端口）
（設(shè)置、波形保存/再調(diào)用、屏幕硬拷貝）
USB 1個(gè)端口(USB1.1)
遠(yuǎn)程控制 通過(guò)局域網(wǎng)進(jìn)行遠(yuǎn)程控制：1個(gè)端口(100BASE-TX)
電源/功耗 電源輸入范圍：100 - 240 V AC，
50/60 Hz 功耗：500 VA
配件 CS-301（S型測(cè)試臺(tái)）、
CS-500（測(cè)試適配器）、
操作手冊(cè)、
電源線 CS-302（M型測(cè)試臺(tái)）、
CS-500（測(cè)試適配器）、
線束、
操作手冊(cè)、
電源線
機(jī)械部分
尺寸(mm) 424 (長(zhǎng)) x 555.2 (寬) x 221 (H)（不含外部凸出部分） 424 (長(zhǎng)) x 555.2 (寬) x 354.5 (H)
（不含外部凸出部分）
重量 約30 kg（不含選配件） 約45 kg（不含選配件）
環(huán)境條件 工作溫度：0 - +40 °C、
保證性能溫度：+10 - +35 ℃