TDKEPCOS薄膜電容, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656A7334J000

TDKEPCOS薄膜電容, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656A7334J000

聚酯薄膜與聚丙烯薄膜電容的區(qū)別
聚酯薄膜電容又稱為CL電容，聚丙烯薄膜電容又稱為CBB電容，兩種單從型號(hào)上是很
好區(qū)分的。一般聚酯膜電容都是以CL開頭，而聚丙烯膜電容以CBB開頭。兩者都具有自
愈性與無感特性。

兩者的主要區(qū)別如下：

1. 在高頻條件下，CBB電容的穩(wěn)定性高于CL電容。

2. 在相同的溫變條件下，CBB電容容量隨著溫度變化的范圍比CL電容小。

3. CBB電容的損耗比CL電容小，在頻率為1kHz的條件下，一般CBB電容損耗角正切值
tanδ為小于0.001，而CL電容的tanδ為小于0.01。

4. CBB電容與CL電容的絕緣性能都特別好，優(yōu)于其他電容器，而CBB電容的絕緣性能則
比CL電容更佳，比如在容量小于0.33uF時(shí)，CBB電容的絕緣電阻大于25000MΩ，而CL
電容則為大于7500 MΩ。

5. 與CBB電容相比，CL電容唯一的優(yōu)勢(shì)在于體積小，相同電壓，相同容量的情況下，
CL電容的體積可以做得比CBB電容小，這對(duì)于一些安裝有空間限制的客戶還是很受用
的。

由于CBB電容性能更佳，但是價(jià)格更貴，因此目前市場(chǎng)上有許多用CL電容冒充CBB
電容，光用目測(cè)很難發(fā)現(xiàn)二者的不同，推薦以下兩種方法供大家參考：

1. 測(cè)損耗值，若是小于0.001則為CBB電容，反之則為CL電容。

2. 用手掌型數(shù)字電容表和電吹風(fēng)來進(jìn)行試驗(yàn)，先把電容器放在電容表上測(cè)出冷態(tài)電容值，
然后用吹風(fēng)加熱電容器，再測(cè)電容值，若電容值變化過大，則為CL電容，反之為CBB電容。

薄膜電容器在不同場(chǎng)合下的作用

薄膜電容器是以金屬箔當(dāng)電極，將其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，從兩端重疊后，卷繞成圓筒狀的電容器，它主要被廣泛的使用在模擬信號(hào)的交連以及其他電源處。
薄膜電容器的工作原理：
通過在電極上儲(chǔ)存電荷儲(chǔ)存電能，通常與電感器共同使用形成LC振蕩電路，在電場(chǎng)中會(huì)受力而移動(dòng)，當(dāng)導(dǎo)體之間有了介質(zhì)，則阻礙了電荷移動(dòng)而使得電荷累積在導(dǎo)體上，造成電荷的累積儲(chǔ)存。

薄膜電容器的優(yōu)點(diǎn)：
在電力電子線路中，薄膜電容主要作用是起著電力電流的一個(gè)緩沖以及箝位、諧振旁路以及抑制電源電磁的干擾
把薄膜電容用在旁路時(shí)，它的作用是降低直流母線的阻抗以及吸收來自負(fù)載的紋波電流，從而起到有效地抑制直流母線電壓在因負(fù)載突變而出現(xiàn)的波動(dòng)
當(dāng)該裝置用于諧振式變換器時(shí)，它能與電感一起實(shí)現(xiàn)諧振的功能
它所適用的溫度的范圍是比較寬的，受溫度的限制比較小
它的使用壽命超長(zhǎng)，只要沒有損壞，幾乎是不會(huì)有使用壽命的限制，可以長(zhǎng)期一直的使用
它屬于金屬化電極，具有自愈功能，在有小的損壞時(shí)，能夠自動(dòng)修復(fù)
在工作時(shí)，可以承受很高的電壓；在使用時(shí)，使用頻率特性比較良好

導(dǎo)致薄膜電容器失效的原因：
電容耐壓不夠?qū)е码妷簱舸┍∧?，?dǎo)致電容器失效
使用電流超過電容所能承受的大電流，導(dǎo)致電容器失效
電容器里面有空氣，導(dǎo)致失效
金屬化膜薄氧化，導(dǎo)致電容器失效

薄膜電容器應(yīng)用時(shí)的注意事項(xiàng)
首先要注意仔細(xì)觀察工作電壓的狀態(tài)，在工作電壓非常不穩(wěn)定時(shí)，就先不要使用薄膜電容器，之后再看電壓的變化速度，速度比較穩(wěn)定是即可使用，要滿足流過電容器的有效值電流和峰值電流。

TDK成功開發(fā)高Q特性的薄膜電容器

TDK株式會(huì)社集團(tuán)下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱：Z-match TFSQ0402系列)，并將從2011年8月開始量產(chǎn)。該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中，同時(shí) TDK株式會(huì)社集團(tuán)下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱：Z-match TFSQ0402系列)，并將從2011年8月開始量產(chǎn)。

該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了面向智能手機(jī)等高性能移動(dòng)設(shè)備和高頻模塊產(chǎn)品的高特性與小型超薄化。尤其值得一提的是，憑借薄膜工法實(shí)現(xiàn)了優(yōu)良的窄公差特性(W公差：±0.05pF)，并通過薄膜材料和最佳形狀設(shè)計(jì)，與以往產(chǎn)品相比達(dá)到了150%的高Q特性(2.2pF、2GHz)。此外，SRF特性也高達(dá)6.8GHz(2.2pF)。通過這些特性，該本產(chǎn)品可在阻抗匹配電路中發(fā)揮優(yōu)良的高頻特性，因此命名為“Z-match”。