集成電路硅片激光切割穿孔來圖定制

產(chǎn)地	北京	分類	硅片切割
切割加工最小縫隙	0.05mm	加工厚度范圍	0.1--2mm
加工方式	激光切割	品牌	HE
微信號(hào)	13011886131	服務(wù)范圍	全國
硅片大小加工范圍	300mm	聯(lián)系人	張經(jīng)理

集成電路硅片激光切割穿孔來圖定制

硅片激光切割設(shè)備的特點(diǎn)：
·高配置：采用進(jìn)口光纖激光器，光束質(zhì)量更好（標(biāo)準(zhǔn)基模）、切縫更細(xì)（30μm）、邊緣更平整光滑。
·免維護(hù)：整機(jī)采用國際標(biāo)準(zhǔn)模塊化設(shè)計(jì)，真正免維護(hù)、不間斷連續(xù)運(yùn)行、無消耗性易損件更換。
·操作方便：設(shè)備集成風(fēng)冷設(shè)置，設(shè)備體積更小，操作更簡單。
·專用控制軟件：專為激光劃片機(jī)而設(shè)計(jì)的控制軟件，操作簡單，能實(shí)時(shí)顯示劃片路徑。
·工作效率高：T型臺(tái)雙工位交替運(yùn)行，提高工作效率。

激光切割于傳統(tǒng)機(jī)械切割硅片相比，是一種行的加工方式，有一下幾點(diǎn)加工優(yōu)勢：
1、激光加工一步即可完成的、干燥對的加工過程。
2、邊緣光滑整齊，不需要后續(xù)的清潔和打磨。
3、激光加工的分離過程產(chǎn)生高強(qiáng)度、自然回火的邊緣，沒有微小裂痕。使用激光加工避免了不可預(yù)料的裂痕和殘破，提高了成品率。

激光加工的應(yīng)用
激光加工技術(shù)應(yīng)用廣泛，且在很多行業(yè)都已經(jīng)很成熟，比如航空航天、新能源鋰電、光伏太陽能、顯示與半導(dǎo)體、PCB行業(yè)、電子信息行業(yè)、機(jī)械五金行業(yè)、家電廚衛(wèi)行業(yè)、鈑金加工行業(yè)、包裝行業(yè)，以及電子煙行業(yè)等領(lǐng)域，對于提高勞動(dòng)生產(chǎn)率、提高產(chǎn)品質(zhì)量、實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)、保護(hù)環(huán)境、減少材料資源消耗、降低生產(chǎn)成本等起著十分重要的作用。

激光隱形切割作為激光切割晶圓的一種方案，很好的避免了砂輪劃片存在的問題。激光隱形切割是通過將脈沖激光的單個(gè)脈沖通過光學(xué)整形，讓其透過材料表面在材料內(nèi)部聚焦，在焦點(diǎn)區(qū)域能量密度較高，形成多光子吸收非線性吸收效應(yīng)，使得材料改性形成裂紋。每一個(gè)激光脈沖等距作用，形成等距的損傷即可在材料內(nèi)部形成一個(gè)改質(zhì)層。在改質(zhì)層位置材料的分子鍵被破壞，材料的連接變的脆弱而易于分開。切割完成后通過拉伸承載膜的方式，將產(chǎn)品充分分開，并使得芯片與芯片之間產(chǎn)生間隙。這樣的加工方式避免了機(jī)械的直接接觸和純水的沖洗造成的破壞。目前激光隱形切割技術(shù)可應(yīng)用于藍(lán)寶石/玻璃/硅以及多種化合物半導(dǎo)體晶圓。

隨著硅半導(dǎo)體集成電路的廣泛應(yīng)用，硅半導(dǎo)體集成電路都要用到晶圓，傳統(tǒng)的晶圓切割方法，都是手工采用金剛石刀進(jìn)行切割，在晶圓上劃分出若干個(gè)圓環(huán)，在劃分出的圓環(huán)上切割出面積相等或者近似相等的小圓弧體。或者采用的是非均勻圓環(huán)、同一圓心角內(nèi)進(jìn)行切割的切割方法，這種晶圓切割方法的耗材大，經(jīng)常要更換刀具，切割出來的晶圓芯片相距的寬度比較大，不均勻，所能切割的材料單一，適用性差，效率低下。
因此晶圓激光切割的方法工作效率高、能精確地調(diào)整待切割晶圓的各個(gè)方向的位置、精度高、全自動(dòng)運(yùn)行，對晶圓切割的位置進(jìn)行準(zhǔn)確定位，切割出來的晶圓芯片均勻、美觀，能切割多種材料，適應(yīng)性強(qiáng)，可以避免薄晶圓因切割破裂

激光切割技術(shù)集光學(xué)、精密機(jī)械、電子技術(shù)和計(jì)算機(jī)技術(shù)于一體，于傳統(tǒng)方法相比
1、加工速度快；2、窄切槽（20um-30um），晶圓利用率高；3、非接觸式加工，適合薄基圓；4、自動(dòng)化程度高，任意圖形切割。目前激光切割技術(shù)可以應(yīng)用于切割硅片、低k材料、發(fā)光二極管襯底、微機(jī)電系統(tǒng)和薄膜太陽能電池等光電及半導(dǎo)體材料。