化合物半導(dǎo)體硅片激光鉆孔小孔加工

200元2022-12-03 08:27:31
  • 北京華諾恒宇光能科技有限公司
  • 硅片切割打孔
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詳情

產(chǎn)地 北京 分類 硅片切割
切割加工最小縫隙 0.05mm 加工厚度范圍 0.1--2mm
加工方式 激光切割 品牌 HE
微信號 13011886131 服務(wù)范圍 全國
硅片大小加工范圍 300mm 聯(lián)系人 張經(jīng)理

化合物半導(dǎo)體硅片激光鉆孔小孔加工

硅片加工的具體加工內(nèi)容
承接0.05mm-2mm各種激光切割、開孔鉆孔、劃線、開槽、異形切割、盲孔盲槽定制。
應(yīng)用及市場
太陽能行業(yè)單晶硅、多晶硅、非晶硅帶太陽能電池片和硅片的劃片（切割、切片）。


激光屬于無接觸式加工，不對晶圓產(chǎn)生機械應(yīng)力的作用，對晶圓損傷較小。由于激光在聚焦上的優(yōu)點，聚焦點可小到微米數(shù)量級，從而對晶圓的微處理更具有優(yōu)越性，可以進行小部件的加工；即使在不高的脈沖能量水平下，也能得到較高的能量密度，有效地進行材料加工。大多數(shù)材料吸收激光直接將硅材料氣化，形成溝道。從而實現(xiàn)切割的目的因為光斑點較小，最低限度的炭化影響。

隨著硅半導(dǎo)體集成電路的廣泛應(yīng)用，硅半導(dǎo)體集成電路都要用到晶圓，傳統(tǒng)的晶圓切割方法，都是手工采用金剛石刀進行切割，在晶圓上劃分出若干個圓環(huán)，在劃分出的圓環(huán)上切割出面積相等或者近似相等的小圓弧體?；蛘卟捎玫氖欠蔷鶆驁A環(huán)、同一圓心角內(nèi)進行切割的切割方法，這種晶圓切割方法的耗材大，經(jīng)常要更換刀具，切割出來的晶圓芯片相距的寬度比較大，不均勻，所能切割的材料單一，適用性差，效率低下。
因此晶圓激光切割的方法工作效率高、能精確地調(diào)整待切割晶圓的各個方向的位置、精度高、全自動運行，對晶圓切割的位置進行準(zhǔn)確定位，切割出來的晶圓芯片均勻、美觀，能切割多種材料，適應(yīng)性強，可以避免薄晶圓因切割破裂

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