普拉動(dòng)晶閘管TFI333-400-10煉鋼電氣設(shè)備品質(zhì)優(yōu)良

封裝外形

平板形

極數(shù)

三極

普拉動(dòng)晶閘管TFI333-400-10煉鋼電氣設(shè)備品質(zhì)優(yōu)良

(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三個(gè)電極，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由PNPN四層組成
(2)可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通必須同時(shí)具備兩個(gè)條件:
(1〕受正向陽(yáng)極電壓;
(2)受正向門(mén)極電壓。
(3)可控硅導(dǎo)通后，當(dāng)陽(yáng)極電流小干維持電流In時(shí).可控硅關(guān)斷。
(4)可控硅的特性主要是:1.陽(yáng)極伏安特性曲線，2.門(mén)極伏安特性區(qū)。
(5)應(yīng)在額定參數(shù)范圍內(nèi)使用可控硅。選擇可控硅主要確定兩個(gè)參致:
主要參數(shù)編輯電流⒈ 額定通態(tài)電流(IT)即穩(wěn)定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。⒉反向重復(fù)峰值電壓(VRRM)或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓(VDRM)，俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。⒊ 控制極觸發(fā)電流(IGT)，俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過(guò)陰極和陽(yáng)極的電流平均值。
電磁爐、變頻器、逆變器、UPS電源、EPS電源、開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)控制、變焊機(jī)、固態(tài)繼電器、有源濾波器、風(fēng)力發(fā)電設(shè)備、工業(yè)傳動(dòng)裝置、電梯或傳動(dòng)設(shè)備、機(jī)車(chē)與列車(chē)用電源、電能表、照明電器等各種產(chǎn)品上。

晶閘管的注意事項(xiàng)：
1、在檢查大功率器件時(shí)，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)1.5V電池E′，以提高測(cè)試電壓和測(cè)試電流，使可靠地導(dǎo)通；
2、要準(zhǔn)確測(cè)量的關(guān)斷增益，必須有測(cè)試設(shè)備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測(cè)。由于測(cè)試條件不同，測(cè)量結(jié)果僅供參考，或作為相對(duì)比較的依據(jù)；
逆導(dǎo)晶閘管亦稱反向?qū)ňчl管。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽(yáng)與陰之間反向并聯(lián)一只二管，使陽(yáng)與陰的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu)，使之具有耐高壓、耐高溫、關(guān)斷時(shí)間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如，逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時(shí)間僅幾微秒，工作頻率達(dá)幾十千赫，快速晶閘管。該器件適用于開(kāi)關(guān)電源、UPS不間斷電源中，一只即可代替晶閘管和續(xù)流二管各一只，不僅使用方便，而且能簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)；
逆導(dǎo)晶閘管的符號(hào)、等效電路，逆導(dǎo)晶閘管的伏安特性具有不對(duì)稱性，正向特性與普通晶閘管相同，而反向特性與硅整流管的正向特性相同（僅坐標(biāo)位置不同）。

晶閘管的過(guò)電壓保護(hù) ：
1、過(guò)電壓：當(dāng)加在晶閘管上的電壓超過(guò)額定電壓時(shí)稱為過(guò)電壓。
2、原因：電源變壓器的一次側(cè)斷開(kāi)或接通、直流側(cè)感性負(fù)載的 切斷、快速熔斷器的熔斷、突然跳閘等。
3、措施：
①、阻容保護(hù) ：吸收回路作用：一旦電路中發(fā)生過(guò)電壓，電容器被迅速充電，電容兩端的電壓不能突變，這就有效地抑制了過(guò)電壓。阻容吸收回路可以并聯(lián)在交流側(cè)、直流側(cè)或晶閘管側(cè)；
②、非線性電阻保護(hù)：目前常用的非線性電阻是金屬氧化物壓敏電阻，它具有正反向相同的很陡的電壓—電流特性；
電路正常工作時(shí)，壓敏電阻不擊穿，通過(guò)的漏電流很小。壓敏電阻在遇到過(guò)電壓時(shí)可通過(guò)高達(dá)數(shù)千安的放電電流，之后又恢復(fù)正常， 因此它抑制過(guò)電壓的能力很強(qiáng)；
由于壓敏電阻正反向特性對(duì)稱，單相電路中只用一只壓敏電阻，三相電路中用三只壓敏電阻。