5shy3545L0003可控硅模塊,PLC應(yīng)用微電子技術(shù)

價格面議2023-02-04 15:07:56
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  • 可控硅模塊IGCT,可控硅模塊IGBT
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5shy3545L0003可控硅模塊,PLC應(yīng)用微電子技術(shù)

集成柵極換流晶閘管IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是1996年問世的用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導(dǎo)體器件。IGCT是一種基于GTO結(jié)構(gòu)、利用集成柵極結(jié)構(gòu)進行柵極硬驅(qū)動、采用緩沖層結(jié)構(gòu)及陽極透明發(fā)射極技術(shù)的新型大功率半導(dǎo)體開關(guān)器件,具有晶閘管的通態(tài)特性及晶體管的開關(guān)特性。由于采用了緩沖結(jié)構(gòu)以及淺層發(fā)射極技術(shù),因而使動態(tài)損耗降低了約50%,另外,此類器件還在一個芯片上集成了具有良好動態(tài)特性的續(xù)流二極管,從而以其獨特的方式實現(xiàn)了晶閘管的低通態(tài)壓降、高阻斷電壓和晶體管穩(wěn)定的開關(guān)特性有機結(jié)合.


IGCT觸發(fā)功率小,可以把觸發(fā)及狀態(tài)監(jiān)視電路和IGCT管芯做成一個整體,通過兩根光纖輸入觸發(fā)信號、輸出工作狀態(tài)信號。IGCT將 GTO技術(shù)與現(xiàn)代功率晶體管IGBT的優(yōu)點集于一身,利用大功率關(guān)斷器件可簡單可靠地串聯(lián)這一關(guān)鍵技術(shù),使得IGCT在中高壓領(lǐng)域以及功率在 0.5MVA~100MVA的大功率應(yīng)用領(lǐng)域尚無真正的對手。

下表是IGBT,GTO和IGCT三種電力器件的性能比較:

IGCT損耗低、開關(guān)快速等這些優(yōu)點保證了它能可靠、高效率地用于300 kVA~10MVA變流器,而不需要串聯(lián)或并聯(lián)。在串聯(lián)時,逆變器功率可擴展到100MVA。雖然高功率的IGBT模塊具有一些優(yōu)良的特性,如能實現(xiàn)di/dt和dv/dt 的有源控制、有源箝位、易于實現(xiàn)短路電流保護和有源保護等。但因存在著導(dǎo)通高損耗、損壞后造成開路以及無長期可靠運行數(shù)據(jù)等缺點,限制了高功率IGBT模塊在高功率低頻變流器中的實際應(yīng)用。因此IGCT將成為高功率高電壓變頻器的首選功率器件。

自從IGCT誕生以來,由于其具有阻斷電壓高、容量大、通態(tài)損耗低、可靠性高等優(yōu)點,在工業(yè)變頻調(diào)速、風(fēng)電并網(wǎng)、軌道交通等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。ABB公司針對中壓傳動領(lǐng)域的ACS系列變頻器以及針對風(fēng)力發(fā)電領(lǐng)域的PCS系列換流器均采用IGCT作為開關(guān)器件,并于2017年研制成功了用于軌道交通供電的交交型模塊化多電平變換器(MMC)樣機;我國株洲中車時代電氣股份有限公司(現(xiàn)為株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司)生產(chǎn)的IGCT器件也被大量應(yīng)用于軌道交通領(lǐng)域。

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