TDKEPCOS薄膜電容, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S7185K566

TDKEPCOS薄膜電容, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S7185K566

薄膜電容有哪些用途？
金屬化聚丙烯薄膜電容器用途：用于電表降壓供電，載波信號(hào)傳輸
特性：（1）低損耗，高阻抗，高耐壓；（2）優(yōu)異的防潮性能；（3）優(yōu)異的阻燃性能；
（4）采用特殊工藝，防止破壞性電暈的產(chǎn)生；（5）長(zhǎng)期負(fù)載下優(yōu)異的電容量穩(wěn)定性
金屬化聚酯薄膜電容器用途：旁路、隔直、耦合、退耦、脈沖、邏輯、定時(shí)、電路振蕩器

特性：(1)優(yōu)異的抗脈沖能力；(2)優(yōu)異的防潮性能；(3)優(yōu)異的阻燃性能；(4)高容量穩(wěn)定性

金屬化聚丙烯薄膜電容器用途：專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于電源串聯(lián)的電容降壓電路特性：
(1)低損耗，高阻抗，高耐壓；(2)優(yōu)異的防潮性能；(3)優(yōu)異的阻燃性能；(4)
高容量穩(wěn)定性，采用特殊工藝，防止破壞性電暈的產(chǎn)生(5)粉末包封，電容器體積更小
金屬化聚丙烯薄膜電容器用途：用于電表降壓供電，載波信號(hào)傳輸

特性：（1）低損耗，高阻抗，高耐壓；（2）優(yōu)異的防潮性能；（3）優(yōu)異的阻燃性能；
（4）采用特殊工藝，防止破壞性電暈的產(chǎn)生；（5）長(zhǎng)期負(fù)載下優(yōu)異的電容量穩(wěn)定性

薄膜電容器的優(yōu)點(diǎn)及其制作方法的詳細(xì)介紹

薄膜電容器的優(yōu)點(diǎn)與制作方法

薄膜電容器由于具有很多優(yōu)良的特性，因此是一種性能優(yōu)秀的電容器。它的主要特性如下：無(wú)極性，絕緣阻抗很高，頻率特性?xún)?yōu)異（頻率響應(yīng)寬廣），而且介質(zhì)損失很小。

基于以上的優(yōu)點(diǎn)，所以薄膜電容器被大量使用在模擬電路上。尤其是在信號(hào)交連的部分，必須使用頻率特性良好，介質(zhì)損失極低的電容器，方能確保信號(hào)在傳送時(shí)，不致有太大的失真情形發(fā)生。在所有的塑料薄膜電容當(dāng)中，又以聚丙烯（PP）電容和聚苯乙烯（PS）電容的特性最為顯著，當(dāng)然這兩種電容器的價(jià)格也比較高。

然而音響器材為了提升聲音的品質(zhì)，所采用的零件材料已愈來(lái)愈高級(jí)，價(jià)格并非最重要的考量因素，所以PP電容和PS電容被使用在音響器材的頻率與數(shù)量也愈來(lái)愈高。讀者們可以經(jīng)常見(jiàn)到某某牌的器材，號(hào)稱(chēng)用了多少某某名牌的PP質(zhì)電容或PS質(zhì)電容，以做為在聲音品質(zhì)上的標(biāo)準(zhǔn)，其道理就在此。

通常的薄膜電容器其制法是將鋁等金屬箔當(dāng)成電極和塑料薄膜重疊后卷繞在一起制成。但是另外薄膜電容器又有一種制造法，叫做金屬化薄膜（Metallized Film），其制法是在塑料薄膜上以真空蒸鍍上一層很薄的金屬以做為電極。如此可以省去電極箔的厚度，縮小電容器單位容量的體積，所以薄膜電容器較容易做成小型，容量大的電容 器。

TDK集團(tuán)新推出超緊湊型愛(ài)普科斯 （EPCOS） 薄膜電容器

TDK集團(tuán)新推出超緊湊型愛(ài)普科斯 （EPCOS） 薄膜電容器。該新款電容器適用于逆變器中的直流鏈路，尺寸僅為40 mm x 58 mm（深x長(zhǎng)），額定電壓為直流350 V DC，電容值為65 μF。這意味著，這款訂貨號(hào)為B32320I2656J011的電容器具有0.9 μF/cm3超高電容密度，可提供比同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品高出50%的電容量。此外，新電容器占用的印刷電路板 （PCB） 空間相對(duì)較小，且等效串聯(lián)電阻 （ESR） 僅為10 mΩ，紋波電流能力強(qiáng)，達(dá)3.7 A。

該電容器采用塑料和環(huán)氧樹(shù)脂密封材料，均具備UL 94 V0的阻燃等級(jí)，工作溫度范圍為-25 °C到+65 °C。電容器還帶集成熱熔絲設(shè)計(jì)，當(dāng)溫度達(dá)到115 °C、電流達(dá)5 A時(shí)會(huì)自動(dòng)跳閘。

其典型應(yīng)用包括逆變器中的高頻濾波，如家用電器和一般直流應(yīng)用中。

主要應(yīng)用

逆變器的高頻濾波，一般直流應(yīng)用

主要特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)

超緊湊尺寸：40 mm x 58 mm（深x長(zhǎng)）

超高電容密度：0.9 μF/cm3

等效串聯(lián)電阻 （ESR）：僅10 mΩ

集成熱熔絲