5shy35L4520可控硅模塊,應用能力
價格面議2023-02-14 19:06:40
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5shy35L4520可控硅模塊,應用能力
下圖為不對稱IGCT的外形圖.
IGCT與GTO相似，也是四層三端器件，GCT內(nèi)部由成千個GCT組成，陽極和門極共用，而陰極并聯(lián)在一起。與GTO有重要差別的是IGCT陽極內(nèi)側(cè)多了緩沖層，以透明（可穿透）陽極代替GTO的短路陽極。導通機理與GTO完全一樣，但關斷機理與GTO完全不同，在IGCT的關斷過程中，GCT能瞬間從導通轉(zhuǎn)到阻斷狀態(tài)，變成一個pnp晶體管以后再關斷，所以它無外加du/dt限制；而GTO必須經(jīng)過一個既非導通又非關斷的中間不穩(wěn)定狀態(tài)進行轉(zhuǎn)換（即"GTO區(qū)"），所以GTO需要很大的吸收電路來抑制重加電壓的變化率du/dt。阻斷狀態(tài)下IGCT的等效電路可認為是一個基極開路、低增益pnp晶體管與柵極電源的串聯(lián)。
自從IGCT誕生以來，由于其具有阻斷電壓高、容量大、通態(tài)損耗低、可靠性高等優(yōu)點，在工業(yè)變頻調(diào)速、風電并網(wǎng)、軌道交通等領域廣泛應用。ABB公司針對中壓傳動領域的ACS系列變頻器以及針對風力發(fā)電領域的PCS系列換流器均采用IGCT作為開關器件，并于2017年研制成功了用于軌道交通供電的交交型模塊化多電平變換器（MMC）樣機；我國株洲中車時代電氣股份有限公司（現(xiàn)為株洲中車時代半導體有限公司）生產(chǎn)的IGCT器件也被大量應用于軌道交通領域。
1、IGCT具有電流大、阻斷電壓高、開關頻率高、可靠性高、結(jié)構(gòu)緊湊、低導通損耗等特點，而且造成本低，成品率高，有很好的應用前景。
2、相對于IGBT而言，IGCT投放市場的時間較晚，應用也沒有IGBT廣，技術成熟度不如IGBT。 目前的 IGBT和IGCT開、關損耗都差不多，構(gòu)成的變頻器，效率也差別不大。 要論優(yōu)勢，主要是IGCT的耐壓目前比IGBT的耐壓高，應用于高壓變頻器的話使得器件減少。但是目前的風電變流器都是690V的，IGBT的耐壓也就足夠了。 IGBT和IGCT，誰是電力電子器件的發(fā)展方向？目前學術界正在爭論，雖然IGCT出現(xiàn)晚，但至少在目前，還看不出它相對IGBT有什么優(yōu)勢。但也有可能隨著技術的發(fā)展，兩者并駕齊驅(qū)，或者都被某種新的器件代替。
與IGCT所對應的是IEGT， IEGT也稱為壓裝式IGBT （PPI)。
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