第三代半導(dǎo)體適配的主要用途

　　第三代半導(dǎo)體適配又稱(chēng)為寬帶隙半導(dǎo)體，帶隙大于2.2eV，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度和高遷移率等特色，越來(lái)越受到重視。

　　第三代半導(dǎo)體適配的性能優(yōu)勢(shì)?

　　寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、高包和電子遷移率、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)和強(qiáng)抗輻射。

　　總的來(lái)說(shuō)，第三代半導(dǎo)體適配的性能優(yōu)勢(shì)是:耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻射、導(dǎo)電性強(qiáng)、工作速度快、工作損耗低。

　　第三代半導(dǎo)體適配的主要用途是什么?

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　　按材料分類(lèi)，第三代半導(dǎo)體適配材料主要有四類(lèi)，主要用途如下:

　　1.以氮化鎵為代表的第三族氮化物在軍事領(lǐng)域中用于雷達(dá)、電子對(duì)抗、導(dǎo)彈和無(wú)線通信。用于民用商業(yè)領(lǐng)域的基站、衛(wèi)星通信、有線電視、手機(jī)充電器等小家電。

　　2.SiC、DC，電動(dòng)汽車(chē)、消費(fèi)電子、新能源、軌道交通等領(lǐng)域的交流輸變電、溫度檢測(cè)與控制。

　　3.寬帶隙氧化物，通常代表氧化鋅ZnO，用于壓力傳感器、存儲(chǔ)器件和柔性電子器件。目前技術(shù)和應(yīng)用都不成熟，主要產(chǎn)品有發(fā)光二極管、激光器、納米發(fā)電機(jī)、納米線晶體管、紫外探測(cè)器等。

　　4.金剛石，大功率紅外激光探測(cè)器，用于光電子、生物醫(yī)學(xué)、航空航天、核能等領(lǐng)域。該技術(shù)和應(yīng)用仍在開(kāi)發(fā)中。