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硅片切割的常用方法

發(fā)布時(shí)間:2023-12-22 13:16:14 來源:互聯(lián)網(wǎng) 分類:電氣知識(shí)

文章摘要: 硅片切割是硅片生產(chǎn)的上游關(guān)鍵技術(shù),硅片是電子工業(yè)的主要原材料。切割的質(zhì)量和規(guī)模直接影響整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的后續(xù)生產(chǎn)。硅片切割是電池加工的重要步驟,直接影響硅片表層的晶體取向、厚度、表層粗糙度和翹曲。硅片制造過程當(dāng)中,可能出現(xiàn)斷線、停機(jī)、厚度不均、粗


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硅片切割是硅片生產(chǎn)的上游關(guān)鍵技術(shù),硅片是電子工業(yè)的主要原材料。切割的質(zhì)量和規(guī)模直接影響整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的后續(xù)生產(chǎn)。硅片切割是電池加工的重要步驟,直接影響硅片表層的晶體取向、厚度、表層粗糙度和翹曲。硅片制造過程當(dāng)中,可能出現(xiàn)斷線、停機(jī)、厚度不均、粗糙度過大(工藝難點(diǎn));過去硅片、電池技術(shù)和元器件制造約占成本的33%,但現(xiàn)在由于電池技術(shù)和元器件制造技術(shù)的提高,三部分的成本分布分別為50%、25%和25%(成本);硅片切割過程當(dāng)中,材料損耗偏位50%,浪費(fèi)嚴(yán)重(節(jié)材)。因此,研究、探討和改進(jìn)硅片技術(shù)具有重要意義。

硅片切割的常用方法有哪些?

一般來說,硅片加工的工藝流程包括晶體生長(zhǎng)、切割、外徑軋制、邊緣展平、切片、倒角、碾磨、腐蝕、拋光、清洗和封裝。由于硅材料的脆性和硬度,直徑的加大造成加工時(shí)翹曲,加工精度難以保證。隨著厚度的增加和切屑厚度的減小,材料磨削量大,效率下降。

硅片加工過程當(dāng)中的一個(gè)關(guān)鍵步驟是硅片切片過程,其加工效率和質(zhì)量非常重要。

硅片切割工藝的原則要求是:①切割精度高,表層平行度高,翹曲小,厚度公差小。②截面整體性好,去除拉絲、刀痕、微裂紋。③提高產(chǎn)量,減少刀(鋼絲)切縫,減少原材料損耗。④提高切割速度,實(shí)現(xiàn)自動(dòng)切割。

多線切割作為一種先進(jìn)的切割技術(shù),已經(jīng)逐漸取代傳統(tǒng)的內(nèi)圓切割成為晶圓切片的主要切割方式。由于驅(qū)動(dòng)磨削液的切割絲在加工中起著重要的作用,與刀片損耗和硅片產(chǎn)量密切相關(guān),減小切割絲的直徑將大大減少硅材料的損耗,大大提高單位材料硅片的產(chǎn)量。


硅片切割的常用方法

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