文章摘要: 隨著微電子技術(shù)的發(fā)展,對(duì)半導(dǎo)體元件的要求越來越高,不僅減小體積,而且還須不斷提高精度。因此,尤其是在切割過程當(dāng)中,例如,為了減小切割過程當(dāng)中半導(dǎo)體邊緣碎裂的風(fēng)險(xiǎn),須連續(xù)改進(jìn)半導(dǎo)體的精加工過程,以減少浪費(fèi)。這要求晶圓切割切割刀片越來越薄,并且
隨著微電子技術(shù)的發(fā)展,對(duì)半導(dǎo)體元件的要求越來越高,不僅減小體積,而且還須不斷提高精度。因此,尤其是在切割過程當(dāng)中,例如,為了減小切割過程當(dāng)中半導(dǎo)體邊緣碎裂的風(fēng)險(xiǎn),須連續(xù)改進(jìn)半導(dǎo)體的精加工過程,以減少浪費(fèi)。這要求晶圓切割切割刀片越來越薄,并且對(duì)刀片的剛性和硬度的要求越來越高。當(dāng)前,為了獲得每個(gè)晶片更多的半導(dǎo)體部件,高密度晶片不斷地被開發(fā)。
那么晶圓切割被廣泛使用嗎?操作簡(jiǎn)單嗎?晶圓切割有哪些方法?目前,硬脆材料的切割技術(shù)主要包括外圓切割,內(nèi)圓切割和線刻切割。外圓切割組件易于操作,但由于鋸片的剛性差,鋸片在切割過程當(dāng)中容易脫落。這造成刀具的平行度差:而內(nèi)圓弧形切削只能用于直線切削,不可進(jìn)行彎曲切割。線鋸切割技術(shù)具有窄縫,效率高,良好的切片質(zhì)量以及切割曲線的能力,它已經(jīng)成為目前廣泛使用的切割技術(shù)。
晶圓切割切割內(nèi)圓時(shí),晶圓表層的損傷層很大,這給CMP帶來了很多拋光工作:刀刃寬,材料損失大,產(chǎn)品產(chǎn)量低:木材產(chǎn)量高。生產(chǎn)力低下:一次只能切一塊。當(dāng)晶片直徑達(dá)到300mm時(shí),內(nèi)刀片的外徑將達(dá)到1.18m。內(nèi)徑為410mm。它給制造,安裝和調(diào)試帶來許多困難,因此,線切割的主要發(fā)展是后期的基于晶片的晶片切割技術(shù)。
金剛石線鋸是過去十年中快速發(fā)展的硬脆材料切割技術(shù),它包括免費(fèi)援助線鋸和固定式磨料線鋸,根據(jù)鋼絲運(yùn)動(dòng)和機(jī)器的結(jié)冰結(jié)構(gòu),可將其分為往復(fù)式和單向(圓形)線鋸。當(dāng)前在光電子工業(yè)中,晶圓切割使用廣泛的往復(fù)式多線鋸晶片切割。
晶圓切割的方法有哪些?
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