河南晶圓級FIB制樣TEM/SEM分析-形貌表征和成分分析

【非硅基材料FIB制樣與TEM分析】

除硅基芯片外，DB-FIB服務擴展至砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等非硅基材料。這類材料通常具有高硬度、熱敏感或易損傷特性，需按小時計費定制化制樣?！緩V電計量電鏡掃描測試】通過優(yōu)化離子束能量與掃描策略，實現(xiàn)精準截面或平面加工，避免材料相變或結構破壞。結合TEM分析，可解析界面缺陷、晶格畸變與成分分布，廣泛應用于功率器件、光電子元件與新型半導體研發(fā)。廣電計量以技術積累與全流程管控，為客戶提供高適配性解決方案。

【FinFET結構原子級表征案例】
FinFET作為先進制程核心結構，其柵極寬度與界面質量直接影響芯片性能。通過DB-FIB制備FinFET超薄切片，利用TEM獲得原子級形貌與晶格圖像。案例顯示，我們成功解析了3nm芯片中Fin的側壁粗糙度、柵氧層厚度與界面缺陷，為客戶提供工藝優(yōu)化依據。【廣電計量SEM/TEM測試服務】涵蓋晶圓級制造與失效分析，結合EDS進行成分映射，全面支撐高端芯片研發(fā)與量產。

【GAA架構分析與未來技術布局】
隨著晶體管技術向GAA（全環(huán)繞柵極）演進，結構復雜度顯著提升。廣電計量已具備GAA架構的DB-FIB制樣與TEM分析能力，通過多層切片與三維重構，解析納米線/片柵極包裹界面與材料均勻性。我們與多家高校及企業(yè)合作，提前布局3nm以下技術節(jié)點，為客戶提供前瞻性分析服務?！緩V電計量電鏡掃描測試】以技術迭代與產學研協(xié)同，助力中國半導體邁向更高制程。

【脆性材料FIB階梯減薄技術應用】
碳化硅、氮化鋁等脆性材料在FIB加工中易開裂，影響制樣成功率。采用階梯減薄法，通過逐層濺射與低劑量拋光，控制應力集中，獲得完整超薄切片。【廣電計量電鏡掃描測試】該專利技術已用于功率器件與射頻元件分析，結合TEM實現(xiàn)界面與缺陷表征，為客戶提供高難度樣品的解決方案。

【FIB倒切法制備TEM樣品的創(chuàng)新實踐】
FIB倒切法是一種高效制備橫截面樣品的工藝，尤其適用于多層結構芯片。通過倒切技術，精準暴露目標界面，避免正面加工帶來的損傷。該方法已應用于先進封裝、TSV通孔等場景，提升制樣效率與成功率?！緩V電計量電鏡掃描測試】持續(xù)優(yōu)化工藝參數(shù)，為客戶提供更經濟、更快速的TEM制樣選擇。

【產學研合作與行業(yè)標準貢獻】
積極與南京大學、上海交大等高校合作，聯(lián)合編寫《聚焦離子束：應用與實踐》等專業(yè)著作，推動FIB技術標準化與普及。參與行業(yè)標準制定，推動設備與材料國產化，構建自主可控的檢測生態(tài)?！緩V電計量電鏡掃描測試】該合作不僅提升技術深度，還強化了在行業(yè)中的影響力與公信力。