三極管反向擊穿電壓測試SMU數(shù)字源表
價格面議2026-01-15 16:06:22
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三極管反向擊穿電壓測試SMU數(shù)字源表
三極管是半導體基本元器件之一，設計電路中常常會關注的參數(shù)有電流放大系數(shù)β、極間反向電流ICBO、ICEO、集電極最大允許電流ICM、反向擊穿電壓VEBO、VCBO、VCEO以及三極管的輸入輸出特性曲線等參數(shù)。
根據(jù)材料以及用途不同，三極管器件的電壓、電流技術參數(shù)也不同，針對1A以下的三極管器件，推薦2臺S系列源表搭建測試方案，最大電壓300V，最大電流1A,最小電流100pA，可以滿足小功率MOSFET測試的需求。
針對最大電流為1A~10A的MOSFET功率器件，推薦采用2臺P系列脈沖源表搭建測試方案，其最大電壓 300V，最大電流10A。
針對最大電流為10A~100A的MOSFET功率器件， 推薦采用P系列脈沖源表+HCP搭建測試方案，最大電 流高達100A，最小電流低至100pA。
極間反向電流
反向擊穿電壓
擊穿電壓在300V以下推薦使用S系列臺式 源表或P系列脈沖源表，其最大電壓300V，擊穿電壓在300V以上的器件推薦使用E系列，最大電壓3500V。
CV特性
與MOS管一樣,三極管也通過CV測量來表征器CV特性。
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