射頻器件頻率特性測試SMU源表

價格面議2025-02-27 16:07:44
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射頻器件頻率特性測試SMU源表

GaNHEMT器件的評估一般包含直流特性(直流l-V測試)、頻率特性(小信號S參數測試)、功率特性(Load-Pull測試)。
頻率特性測試

射頻器件的頻率參數測試包含小信號S參數、互調(IMD)、噪聲系數和雜散等特性的測量。其中,S參數測試描述了RF器件在不同頻率下和對于信號的不同功率水平的基本特性,量化了RF能量是如何通過系統(tǒng)傳播。

S參數也就是散射參數。S參數是一種描述元器件在表現(xiàn)為射頻特性的高頻信號激勵下的電氣行為的工具,它描述的方法是以元器件對入射信號作出反應(即“散射”)后,從元器件外部“散射”出的可測量的物理量來實現(xiàn)的,測量到的物理量的大小反應出不同特性的元器件會對相同的輸入信號“散射”的程度不一樣。

使用小信號S參數,我們可以確定基本RF特性,包括電壓駐波比(VSWR)、回報損耗、插入損耗或給定頻率的增益。小信號S參數通常均利用連續(xù)波(CW)激勵信號并應用窄帶響應檢測來測量。射頻器件頻率特性測試SMU源表找生產廠家武漢普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六;

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