WESTCODE軟啟動(dòng)可控硅N275CH04質(zhì)量可靠

品牌	ABB	封裝外形	平板形
極數(shù)	二極

WESTCODE軟啟動(dòng)可控硅N275CH04質(zhì)量可靠

可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡(jiǎn)稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒有反向耐壓?jiǎn)栴}，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)使用。

可控硅產(chǎn)品性能特點(diǎn)：
1、在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)；
2、可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過(guò)此功率，因元件開關(guān)損耗顯著增加，允許通過(guò)的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用；
3、可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行，無(wú)火花、無(wú)噪音；效率高，成本低等等；
4、可控硅從外形類主要有：螺栓形、平板形和平底形。

晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓、正向平均漏電流、反向漏電流、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓、反向重復(fù)峰值電壓、正向平均壓降 、通態(tài)平均電流、門觸發(fā)電壓、門觸發(fā)電流、門反向電壓和維持電流等，晶閘管有一個(gè)重要特點(diǎn)，就是它一旦導(dǎo)通后控制即失去控制作用，器件始終處于 導(dǎo)通狀態(tài)除非陽(yáng)對(duì)陰電壓降低到很小，致使陽(yáng)電流降到某一數(shù)值之下。

晶閘管通態(tài)電流上升率：元件通態(tài)電流上升率的臨界重復(fù)值。其對(duì)應(yīng)不重復(fù)測(cè)試值為重復(fù)值的以上，在使用過(guò)程中，必須保證元件導(dǎo)通期時(shí)候的電流上升率都不能超過(guò)其重復(fù)值；
晶閘管元件的選擇：
正確地選擇晶閘管、整流管等電力電子器件對(duì)保證整機(jī)設(shè)備的可靠性及降低設(shè)備成本具有重要意義。元件的選擇要綜合考慮其使用環(huán)境、冷卻方式、線路型式、負(fù)載性質(zhì)等因素，在保證所選元件各參數(shù)具有裕量的條件下兼顧經(jīng)濟(jì)性。由于電力電子器件的應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛，具體應(yīng)用形式多種多樣。

晶閘管的工作原理：
1、晶閘管具有單向?qū)щ娦裕赫驅(qū)l件：A、K間加正向電壓，G、K間加觸發(fā)信號(hào)；
2、晶閘管一旦導(dǎo)通，控制失去作用：若使其關(guān)斷，必須降低UAK或加大回路電阻，把陽(yáng)電流減小到維持電流以下；
晶閘管的結(jié)構(gòu)：晶閘管由四層半導(dǎo)體材料構(gòu)成，它有三個(gè)：陽(yáng)，陰和門。晶閘管是在晶體管基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種大功率半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）。

晶體管的主要參數(shù)：
1、反向阻斷峰值電壓：在額定結(jié)溫和控制開路的條件下，允許重復(fù)加在陽(yáng)—陰間的大反向阻斷電壓；
2、正向阻斷峰值電壓：在額定結(jié)溫和控制開路及晶閘管正向阻斷的條件下，重復(fù)加在陽(yáng)—陰間的大正向阻斷電壓；
3、正向平均電流：在規(guī)定環(huán)境溫度及散熱條件下，允許連續(xù)通過(guò)工頻正弦半波電流的平均值；
4、通態(tài)平均電壓: 晶閘管導(dǎo)通時(shí)管壓降的平均值，一般在0.4~1.2V；
5、維持電流：在室溫和控制開路時(shí)，元件能維持導(dǎo)通狀態(tài)所需的小陽(yáng)電流；
6、控制觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流：在溫室下，陽(yáng)—陰間加規(guī)定的正向直流電壓，使晶閘管導(dǎo)通所需的小控制電壓和電流。