二極管SW16CXC380中頻電源設備配件廠家直銷

LED封裝	無色透明封裝（T）	功率特性	中功率
發(fā)光顏色	正白	封裝	陶瓷封裝
封裝形式	功率型	封裝材料	陶瓷封裝
材料	硅	電壓	1200
電流	600	結構	合金型
頻率特性	中頻

二極管SW16CXC380中頻電源設備配件廠家直銷

整流二極管代換：
整流二極管損壞后，可以用同型號的整流二極管或參數(shù)相同其它型號整流二極管代換。
通常，高耐壓值（反向電壓）的整流二極管可以代換低耐壓值的整流二極管，而低耐壓值的整流二極管不能代換高耐壓值的整流二極管。整流電流值高的二極管可以代換整流電流值低的二極管，而整流電流值低的二極管則不能代換整流電流值高的二極管。

整流二極管是面觸摸型二極管，結面積較大，能接受較大的正向電流和較高的反向電壓，功能比較穩(wěn)定，首要用在把溝通電變換成直流電的整流電路中。整流二極管的結電容較大 ，因而它不宜作業(yè)在高頻電路中 。整流二極管用半導體或硅等資料制成 ，具有顯著的單導游電性。硅整流二極管的擊穿電壓高，反向漏電流小，高溫功能杰出。通常高壓大功率整流二極管都用高純單晶硅制作（摻雜較多時簡單反向擊穿）。整流二極管有金屬和塑料兩種封裝。整流二極管的首要技術參數(shù)包含大整流電流 、大反向作業(yè)電壓、反向飽和電流高作業(yè)頻率及反向恢復時間等 。

整流二極管是由硅半導體材料制成的，采用面接觸型二極管結構，如圖一所示。由于采用面接觸結構，硅整流二極管的特點是工作頻率低、允許的工作溫度高，允許通過的正向電流大，反向擊穿電壓高。整流二極管在電路中的主要作用是將交流電變成直流電，以適應各種電子設備。

早期的真空電子二極管；它是一種能夠單向傳導電流的電子器件。在半導體二極管內部有一個

PN結兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳導性。一般來講，

晶體二極管是一個由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結界面。在其界面的兩側形成空間

電荷層，構成自建電場。當外加電壓等于零時，由于p-n 結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流

和由自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)，這也是常態(tài)下的二極管特性。
晶體二極管，簡稱二極管（diode）；它只往一個方向傳送電流的電子零件。它是一種具有1個

零件號接合的2個端子的器件，具有按照外加電壓的方向，使電流流動或不流動的性質。晶體

二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有

自建電場。當不存在外加電壓時，由于PN 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引

起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)

上海聚肯電子科技有限公司小功率二極管的N極（負極），在二極管外表大多采用一種色圈標出來，有些二極管也用二極
管符號來表示P極（正極）或N極（負極），也有采用符號標志為“P”、“N”來確定二極
管極性的。發(fā)光二極管的正負極可從引腳長短來識別，長腳為正，短腳為負。用數(shù)字式萬用表
去測二極管時，紅表筆接二極管的正極，黑表筆接二極管的負極，此時測得的阻值才是二極管
的正向導通阻值，這與指針式萬用表的表筆接法剛好相反。
半導體是一種具有性質的物質，它不像導體一樣能夠完全導電，又不像絕緣體那樣不能導
電，它介于兩者之間，所以稱為半導體。半導體重要的兩種元素是硅（讀“gui”）和鍺（
讀“zhe”）。我們常聽說的美國硅谷，就是因為起先那里有好多家半導體廠商。
二極管應該算是半導體器件家族中的元老了。很久以前，人們熱衷于裝配一種礦石收音機來收
聽無線電廣播，這種礦石后來就被做成了晶體二極管。

上海聚肯電子科技有限公司二極管重要的特性就是單方向導電性。在電路中，電流只能從二極管的正極流入，負極流出
。
正向特性
在電子電路中，將二極管的正極接在高電位端，負極接在低電位端，二極管就會導通，這種連
接方式，稱為正向偏置。必須說明，當加在二極管兩端的正向電壓很小時，二極管仍然不能導
通，流過二極管的正向電流十分微弱。只有當正向電壓達到某一數(shù)值（這一數(shù)值稱為“門坎電
壓”，又稱“死區(qū)電壓”，鍺管約為0.1V，硅管約為0.5V）以后，二極管才能真正導通。導通
后二極管兩端的電壓基本上保持不變（鍺管約為0.3V，硅管約為0.7V），稱為二極管的“正向
壓降”。
反向特性
在電子電路中，二極管的正極接在低電位端，負極接在高電位端，此時二極管中幾乎沒有電流
流過，此時二極管處于截止狀態(tài)，這種連接方式，稱為反向偏置。二極管處于反向偏置時，仍
然會有微弱的反向電流流過二極管，稱為漏電流。當二極管兩端的反向電壓到某一數(shù)值，
反向電流會急劇，二極管將失去單方向導電特性，這種狀態(tài)稱為二極管的擊穿。

上海聚肯電子科技有限公司晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的pn結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并
建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于pn結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場
引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互
相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和
自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。
當外加的反向電壓高到一定程度時，pn結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍
增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。pn
結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分

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