貞光科技獲悉，臺(tái)積電2納米建廠計(jì)劃啟動(dòng)

貞光科技獲悉，臺(tái)積電2納米建廠計(jì)劃啟動(dòng) ? 車規(guī)及工業(yè)元器件金牌供應(yīng)商貞光科技從臺(tái)灣媒體獲悉，新竹科學(xué)園區(qū)寶山二期擴(kuò)建計(jì)畫環(huán)評(píng)過關(guān)，晶圓代工龍頭臺(tái)積電為2奈米量身打造的Fab 20晶圓廠投資計(jì)畫正式啟動(dòng)，近期將展開土地取得程序，2022年上半年開始進(jìn)行建廠作業(yè)。臺(tái)積電Fab 20晶圓廠位于研發(fā)晶圓廠旁，共將興建4期廠房，預(yù)計(jì)2024年開始進(jìn)入量產(chǎn)，將是臺(tái)積電首座導(dǎo)入全新世代的奈米層片（nanosheet）架構(gòu)2奈米制程的超大型晶圓廠（GigaFab）。 ? 臺(tái)積電晶圓建廠計(jì)劃 包括臺(tái)積電、英特爾、三星晶圓代工等半導(dǎo)體大廠現(xiàn)階段先進(jìn)制程所采用的鰭式場(chǎng)效電晶體（FinFET）架構(gòu)，都是依賴前臺(tái)積電技術(shù)長(zhǎng)、現(xiàn)為美國(guó)柏克萊大學(xué)教授胡正明發(fā)明的FinFET技術(shù)所開展。原本FinFET架構(gòu)推出是為了解決漏電問題，但隨著制程推進(jìn)至3奈米，短通道效應(yīng)讓微縮難度大增，且產(chǎn)生控制漏電的物理極限問題，所以三星在3奈米導(dǎo)入環(huán)繞閘極（GAA）電晶體架構(gòu)，英特爾及臺(tái)積電則在2奈米跨入GAA架構(gòu)。 ? 臺(tái)積電正在研發(fā)中的GAA架構(gòu)2奈米制程，采用全新世代的奈米層片技術(shù)。 FinFET結(jié)構(gòu)是利用垂直立體設(shè)計(jì)，架構(gòu)看起來像是魚鰭而有此稱呼，此一改變讓閘極跟鰭（Fin）能接觸的面積增加，在制程微縮時(shí)可下降漏電問題，但制程微縮讓空間愈小，鰭的垂直設(shè)計(jì)遇到很大的空間上的挑戰(zhàn)，所以將鰭由垂直轉(zhuǎn)為水平就成為奈米層片GAA架構(gòu)，而且制程繼續(xù)微縮就會(huì)成為所謂的奈米線（Nanowire）GAA架構(gòu)。 ? 臺(tái)積電2奈米研發(fā)進(jìn)度符合預(yù)期，隨著寶山二期擴(kuò)建計(jì)畫環(huán)評(píng)過關(guān)，臺(tái)積電隨即進(jìn)入土地取得程序，預(yù)期2022年可開始動(dòng)工興建。設(shè)備業(yè)者指出，臺(tái)積電為2奈米制程量身打造的Fab 20超大型晶圓廠，將分為4期廠房逐步動(dòng)工，前2期廠房預(yù)估會(huì)在2023年下半年完工并展開裝機(jī)作業(yè)，2024年下半年可望進(jìn)入量產(chǎn)階段，2奈米4期廠房全部完工量產(chǎn)時(shí)程約落在2025～2026年，總月產(chǎn)能將逾10萬片規(guī)模。 ? 臺(tái)積電在技術(shù)論壇指出，對(duì)于3奈米之后更先進(jìn)技術(shù)，臺(tái)積電在奈米層片裝置方面取得重大突破，提供短通道控制，為在低電壓下實(shí)現(xiàn)良好效能提供了機(jī)會(huì)，期望可以將奈米層片效能提高高于10％以上。同時(shí)，臺(tái)積電還創(chuàng)建一種將金屬與2D材料結(jié)合的新方法，改善了接觸阻力和為縮小元件尺寸的最小接觸長(zhǎng)度，低溫傳輸過程及原子級(jí)薄膜面間和通道材料，將為未來的2D電子產(chǎn)品鋪路。至于1D碳奈米管電晶體方面也取得進(jìn)步，在制作高質(zhì)量、超薄介電系統(tǒng)方面有突破性進(jìn)展。貞光科技綜合 ? 相關(guān)內(nèi)容：貞光科技被業(yè)內(nèi)稱為車規(guī)及工業(yè)元器件金牌供應(yīng)商，為客戶提供車規(guī)電容、車規(guī)電阻、車規(guī)晶振、車規(guī)電感、車規(guī)連接器等車規(guī)級(jí)產(chǎn)品和行業(yè)解決方案，成立于1998年的貞光科技是三星、國(guó)巨、愛普生、AVX、奇力新、風(fēng)華高科、京瓷、泰科等海內(nèi)外三十多個(gè)原廠的授權(quán)代理。 ? 免責(zé)聲明：本文源自網(wǎng)絡(luò)，文中觀點(diǎn)不代表貞光科技立場(chǎng)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。