材料FIB階梯減薄技術(shù)-xrd掃描電鏡

【常規(guī)定點(diǎn)截面加工技術(shù)應(yīng)用】

材料FIB階梯減薄技術(shù)-xrd掃描電鏡
材料FIB階梯減薄技術(shù)-xrd掃描電鏡
材料FIB階梯減薄技術(shù)-xrd掃描電鏡
常規(guī)定點(diǎn)截面加工是DB-FIB的基礎(chǔ)應(yīng)用之一，為半導(dǎo)體與非半導(dǎo)體樣品提供定制化服務(wù)。通過(guò)預(yù)設(shè)坐標(biāo)與離子束路徑，實(shí)現(xiàn)對(duì)Wafer、PCB、元器件等樣品的精準(zhǔn)切割，暴露內(nèi)部結(jié)構(gòu)用于SEM觀察或能譜分析?！緩V電計(jì)量電鏡掃描測(cè)試】該服務(wù)適用于工藝監(jiān)控、封裝質(zhì)量評(píng)估與材料界面研究。我們支持多種樣品類(lèi)型，按小時(shí)報(bào)價(jià)，并配備自動(dòng)化系統(tǒng)提升加工一致性。廣電計(jì)量以快速響應(yīng)與高精度操作，滿(mǎn)足客戶(hù)從研發(fā)到量產(chǎn)的全周期檢測(cè)需求。

【GAA架構(gòu)分析與未來(lái)技術(shù)布局】
隨著晶體管技術(shù)向GAA（全環(huán)繞柵極）演進(jìn)，結(jié)構(gòu)復(fù)雜度顯著提升。廣電計(jì)量已具備GAA架構(gòu)的DB-FIB制樣與TEM分析能力，通過(guò)多層切片與三維重構(gòu)，解析納米線/片柵極包裹界面與材料均勻性。我們與多家高校及企業(yè)合作，提前布局3nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)，為客戶(hù)提供前瞻性分析服務(wù)?！緩V電計(jì)量電鏡掃描測(cè)試】以技術(shù)迭代與產(chǎn)學(xué)研協(xié)同，助力中國(guó)半導(dǎo)體邁向更高制程。

【脆性材料FIB階梯減薄技術(shù)應(yīng)用】
碳化硅、氮化鋁等脆性材料在FIB加工中易開(kāi)裂，影響制樣成功率。采用階梯減薄法，通過(guò)逐層濺射與低劑量拋光，控制應(yīng)力集中，獲得完整超薄切片?！緩V電計(jì)量電鏡掃描測(cè)試】該專(zhuān)利技術(shù)已用于功率器件與射頻元件分析，結(jié)合TEM實(shí)現(xiàn)界面與缺陷表征，為客戶(hù)提供高難度樣品的解決方案。

材料FIB階梯減薄技術(shù)-xrd掃描電鏡

材料FIB階梯減薄技術(shù)-xrd掃描電鏡

排行8提醒您：
1）為了您的資金安全，請(qǐng)選擇見(jiàn)面交易，任何要求預(yù)付定金、匯款等方式均存在風(fēng)險(xiǎn)，謹(jǐn)防上當(dāng)受騙！
2）確認(rèn)收貨前請(qǐng)仔細(xì)核驗(yàn)產(chǎn)品質(zhì)量，避免出現(xiàn)以次充好的情況。
3）該信息由排行8用戶(hù)自行發(fā)布，其真實(shí)性及合法性由發(fā)布人負(fù)責(zé)，排行8僅引用以供用戶(hù)參考，詳情請(qǐng)閱讀排行8免責(zé)條款。查看詳情>
關(guān)鍵詞：電鏡掃描,電鏡掃描sem,掃描電鏡成像,TEM透射電子顯微鏡拍攝分析
曾經(jīng)理

13570464575

廣州廣電計(jì)量檢測(cè)股份有限公司
×
發(fā)送即代表同意《隱私協(xié)議》允許更多優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商為您服務(wù)