北京半導體硅片激光切割小孔加工
200元2022-12-11 08:22:35
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| 產(chǎn)地 | 北京 | 分類 | 硅片切割 |
| 切割加工最小縫隙 | 0.05mm | 加工厚度范圍 | 0.1--2mm |
| 加工方式 | 激光切割 | 品牌 | HE |
| 微信號 | 13011886131 | 服務范圍 | 全國 |
| 硅片大小加工范圍 | 300mm | 聯(lián)系人 | 張經(jīng)理 |
北京半導體硅片激光切割小孔加工
硅片激光切割設備的特點：
·高配置：采用進口光纖激光器，光束質(zhì)量更好（標準基模）、切縫更細（30μm）、邊緣更平整光滑。
·免維護：整機采用國際標準模塊化設計，真正免維護、不間斷連續(xù)運行、無消耗性易損件更換。
·操作方便：設備集成風冷設置，設備體積更小，操作更簡單。
·專用控制軟件：專為激光劃片機而設計的控制軟件，操作簡單，能實時顯示劃片路徑。
·工作效率高：T型臺雙工位交替運行，提高工作效率。
傳統(tǒng)機械加工硅片的劣勢：
傳統(tǒng)硅片切割方式是機械切割，速度慢、斷面平整性差、碎片多、不環(huán)保。硅是一種脆性材料，機械切割極易使邊緣產(chǎn)生破裂，造成硅表面彈性應變區(qū)、位錯網(wǎng)絡區(qū)和碎晶區(qū)的組成層損傷，甚至可能造成隱形裂紋，影響電性參數(shù)等危害。激光切割技術具有無接觸、無機械應力、切縫寬度小、斷面平整光滑、精度高、速度快、性能穩(wěn)定等優(yōu)勢；
激光切割于傳統(tǒng)機械切割硅片相比，是一種行的加工方式，有一下幾點加工優(yōu)勢：
1、激光加工一步即可完成的、干燥對的加工過程。
2、邊緣光滑整齊，不需要后續(xù)的清潔和打磨。
3、激光加工的分離過程產(chǎn)生高強度、自然回火的邊緣，沒有微小裂痕。使用激光加工避免了不可預料的裂痕和殘破，提高了成品率。
隨著硅半導體集成電路的廣泛應用，硅半導體集成電路都要用到晶圓，傳統(tǒng)的晶圓切割方法，都是手工采用金剛石刀進行切割，在晶圓上劃分出若干個圓環(huán)，在劃分出的圓環(huán)上切割出面積相等或者近似相等的小圓弧體?；蛘卟捎玫氖欠蔷鶆驁A環(huán)、同一圓心角內(nèi)進行切割的切割方法，這種晶圓切割方法的耗材大，經(jīng)常要更換刀具，切割出來的晶圓芯片相距的寬度比較大，不均勻，所能切割的材料單一，適用性差，效率低下。
因此晶圓激光切割的方法工作效率高、能精確地調(diào)整待切割晶圓的各個方向的位置、精度高、全自動運行，對晶圓切割的位置進行準確定位，切割出來的晶圓芯片均勻、美觀，能切割多種材料，適應性強，可以避免薄晶圓因切割破裂
激光切割技術集光學、精密機械、電子技術和計算機技術于一體，于傳統(tǒng)方法相比
1、加工速度快；2、窄切槽（20um-30um），晶圓利用率高；3、非接觸式加工，適合薄基圓；4、自動化程度高，任意圖形切割。目前激光切割技術可以應用于切割硅片、低k材料、發(fā)光二極管襯底、微機電系統(tǒng)和薄膜太陽能電池等光電及半導體材料。
半導體晶圓片切割的非晶硅單晶硅多晶硅,半導體晶圓片切割，氮化鎵,銅銦鎵硒，碲化鎘,等多種基材的精細切割鉆孔，蝕刻，微結(jié)構(gòu),打標和改片切圓異形皆可,厚度-般不超過半導體晶圓是指制作硅半導體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經(jīng)過研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。國內(nèi)晶圓生產(chǎn)線以 8英寸和 12 英寸為主。晶圓的主要加工方式承接0.05mm-2mm各種激光切割、開孔鉆孔、劃線、開槽、刻圖形字體，各種透光材質(zhì)都可做，價格優(yōu)惠打孔厚度0.1mm-40mm最小孔徑0.05mm最大孔徑90mm尺寸公差 ≥±0.02mm。
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