PMOS3401管道技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素

本發(fā)明要解決的問題是提供一種PMOS3401晶體管及其形成方法。可以下降插塞和源漏區(qū)之間的接觸電阻。提高形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。

為了解決上述問題。本發(fā)明提供了一種形成PMOS3401管的方法，包括:

提供襯底；在襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)。在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底上的第一外延層上形成第一外延層和第二外延層，在第二外延層中摻雜調(diào)制離子。

或者，形成第一外延層和第二外延層步驟包括以下步驟:在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底上形成開口；通過第一外延工藝將半導(dǎo)體材料填充到開口中。以形成第一外延層；在第一外延層上形成第一外延層

與現(xiàn)有技術(shù)相比。本發(fā)明技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn)。

第二外延層構(gòu)成與第一外延層一起形成PMOS3401晶體管的源漏區(qū)，第二外延層位于第一外延層上，使得后面形成的插塞與第二外延層接觸連接。由于第二外延層中存在調(diào)制離子，可以有效下降后面形成的插塞與第二外延層之間的肖特基勢(shì)壘。有效下降后面形成的插塞與形成的PMOS3401管的源漏區(qū)之間的接觸電阻。在本發(fā)明的其他方式中。修復(fù)離子進(jìn)一步摻雜第二外延層中的修復(fù)離子，并且修復(fù)離子是PMOS3401tube；因此，修復(fù)離子加入可以有效抑制第二外延層中尖峰缺點(diǎn)的形成，有效提高后續(xù)形成的連接層的質(zhì)量，下降前端放電現(xiàn)象的發(fā)生概率。有助于形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)性能的提高。

以上是PMOS3401管材及其成型方法和工藝。如果您需要了解更多。請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我們！