活性屏離子氮化機理的研究

活性屏離子氮化是一種很好的陰極技術(shù)。真空室中裝有與陰極高壓相連的金屬網(wǎng)筒作為活動屏，工件放在活動屏內(nèi)。活性屏被氣體離子轟擊并加熱，然后工件被活性屏的熱輻射加熱到氮化溫度。在浸滲過程當(dāng)中，工件被活性屏包圍，處于電懸浮狀態(tài)，離子轟擊活性屏而不是工件表層，解決了DC離子滲氮技術(shù)中的邊緣效應(yīng)、空心陰極效應(yīng)和引弧問題。采用活性屏離子氮化技術(shù)，可以對不同形狀的工件進行處理，方便地測量工件的溫度，還可以對奧氏體不銹鋼等耐火材料進行處理。在主動屏電離過程當(dāng)中，氮原子從氣相到工件表層的傳輸機制尚未達成共識，這阻礙了該技術(shù)的應(yīng)用和發(fā)展。

活性屏離子氮化機理的研究：
關(guān)于活性屏離子氮化的電離機理，人們最初提出了濺射沉積模型，即離子轟擊活性屏并將其熄滅FN和FN沉積在工件表層，然后活性原子按照FeNFeNFeNFe的順序釋放出來，氮原子被工件吸收，完成氮化過程。該模型是通過改進克爾提出的DC離子氬的濺射沉積模型得到的，但Kbel模型中的FeN至今尚未觀察到，因此用改進的Kbel模型解釋有源屏幕的離子氮化存在一定的局限性。
活性屏離子氮化經(jīng)過更深入的實驗研究，人們提出了濺射吸附解吸模型，認為使用鋼活性屏?xí)r，活性屏本身會熔化，產(chǎn)生一定厚度的鐵負化合物。由于離子濺射，一些鐵是負的。