武漢儀器/儀表

全武漢儀器/儀表信息

共找到 146 條信息
  • 硅基and碳化硅特性曲線測(cè)試設(shè)備

    硅基and碳化硅特性曲線測(cè)試設(shè)備

    硅基and碳化硅特性曲線測(cè)試設(shè)備優(yōu)勢(shì) 高電壓、大電流 具有高電壓測(cè)量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(最大可擴(kuò)展至10kV) 具有大電流測(cè)量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián)) 高精度測(cè)量 nA級(jí)漏電流, μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻 0.1%精度測(cè)量 模塊化配置
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    2026-01-15
  • 二極管&led反向擊穿電壓測(cè)試設(shè)備

    二極管&led反向擊穿電壓測(cè)試設(shè)備

    二極管&led反向擊穿電壓測(cè)試設(shè)備具有輸出及測(cè)量電壓高（3500V）、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)（1nA）的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限，輸出及測(cè)量電壓0~3500V，輸出及測(cè)量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。詳詢一八一四零六六三四七六； 二極管&
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    2026-01-15
  • led&二極管反向漏電流測(cè)試設(shè)備

    led&二極管反向漏電流測(cè)試設(shè)備

    led&二極管反向漏電流測(cè)試設(shè)備測(cè)試項(xiàng)目 集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat 集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges 柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th) 輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容 續(xù)流二極管壓降
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    2026-01-15
  • 半導(dǎo)體器件IV+CV測(cè)試儀

    半導(dǎo)體器件IV+CV測(cè)試儀

    半導(dǎo)體器件IV+CV測(cè)試儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%，直流電流升級(jí)至3A，可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測(cè)試方案?，詳詢一八一四零六六三四七六； S型數(shù)字源表應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：
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    2026-01-15
  • KV級(jí)高壓電源3500V高壓程控電源

    KV級(jí)高壓電源3500V高壓程控電源

    E系列KV級(jí)高壓電源3500V高壓程控電源特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)： 十ms級(jí)的上升沿和下降沿； 單臺(tái)最大3500V的輸出； 0.1%測(cè)試精度； 同步電流或電壓測(cè)量； 支持程控恒壓測(cè)流，恒流測(cè)壓，便于掃描測(cè)試； 應(yīng)用領(lǐng)域： 用于IGBT擊穿電壓測(cè)試,IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試母線電容充
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    2026-01-15
  • 高電壓大電流igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

    高電壓大電流igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

    為應(yīng)對(duì)各行各業(yè)對(duì)IGBT的測(cè)試需求，武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)、精益打造了一款高精密電壓-電流的IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，可提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁
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    2026-01-15
  • led漏電流測(cè)試高精度源表

    led漏電流測(cè)試高精度源表

    LED必須在合適的電流電壓驅(qū)動(dòng)下才能正常工作。其電壓-電流之間的關(guān)系稱為I-V特性。通過(guò)對(duì)LED電特性的測(cè)試，可以獲得對(duì)應(yīng)正向電壓（Vf）、反向電壓（Vr）及漏電流（Ir）等參數(shù)，以及相應(yīng)的I-V曲線。常用的測(cè)試方法一般為在LED器件的兩端，加電壓測(cè)試電流，或者加電流測(cè)試電壓
    面議
    2026-01-15
  • 高精度國(guó)產(chǎn)DP300B型雙通道數(shù)字源表

    高精度國(guó)產(chǎn)DP300B型雙通道數(shù)字源表

    產(chǎn)品簡(jiǎn)介 DPX00B雙通道高精度臺(tái)式脈沖源表是在單通道脈沖臺(tái)式源表基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，單通道最大輸出電壓達(dá)300V，最大脈沖輸出電流達(dá)30A，支持四象限工作，2個(gè)通道可獨(dú)立或組合工作。 DPX00B雙
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    2026-01-15
  • 雙極性電源數(shù)字源表直流3A精密源表

    雙極性電源數(shù)字源表直流3A精密源表

    雙極性電源數(shù)字源表直流3A精密源表優(yōu)勢(shì) ? 性能強(qiáng)大-作為電壓源和或電流源，并同步測(cè)量電流和或電壓，支持四象限工作?？梢韵薅妷夯螂娏鬏敵龃笮?，預(yù)防器件損壞。覆蓋3pA-3A的電流范圍100μV-300V的電壓范圍，全量程測(cè)量精度0.03%。 ? 靈活多樣-支持兩線制和四線制測(cè)量
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    2026-01-15
  • 大功率分立器件測(cè)試設(shè)備靜態(tài)參數(shù)分析儀

    大功率分立器件測(cè)試設(shè)備靜態(tài)參數(shù)分析儀

    普賽斯分立器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)10KV,電流可高達(dá)6KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類(lèi)型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級(jí)電阻，pA級(jí)電流精準(zhǔn)
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    2026-01-15
  • 國(guó)產(chǎn)SMU數(shù)字源表高精密IV曲線掃描儀

    國(guó)產(chǎn)SMU數(shù)字源表高精密IV曲線掃描儀

    國(guó)產(chǎn)SMU數(shù)字源表高精密IV曲線掃描儀認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，普賽斯S系列源表標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集，U秀的性價(jià)比，良好的售后服務(wù)與技術(shù)支持，詳詢一八一四零六六三四七六 數(shù)字源表基本功能 集多種功能為一體的精密測(cè)量?jī)x器，主要是測(cè)量電氣性能 SMU可以當(dāng)電源,
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    2026-01-15
  • 晶體管特性圖示儀iv+cv曲線掃描儀

    晶體管特性圖示儀iv+cv曲線掃描儀

    晶體管特性圖示儀iv+cv曲線掃描儀優(yōu)勢(shì)： IV、CV一鍵測(cè)；一體機(jī)，支持遠(yuǎn)程指令控制；支持三同軸接探針臺(tái) 能夠覆蓋從材料、晶圓、器件到模塊的測(cè)試；詳詢一八一四零六六三四七六； 產(chǎn)品特點(diǎn)： 30μV-1200V,1pA-100A寬量程測(cè)試能力； 測(cè)量精度高,全量程下可
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    2026-01-15
  • 脈沖IV特性測(cè)試數(shù)字源表

    脈沖IV特性測(cè)試數(shù)字源表

    PXOOB系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達(dá)30A，Z大輸出電壓達(dá)300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。PXOOB系列源表適用于各行各業(yè)使用者
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    2026-01-15
  • igbt靜態(tài)性能測(cè)試設(shè)備

    igbt靜態(tài)性能測(cè)試設(shè)備

    普賽斯igbt靜態(tài)性能測(cè)試設(shè)備,集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級(jí)精確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。詳詢18140663476 測(cè)試項(xiàng)目 集
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    2026-01-15
  • 晶圓/芯片微弱電流測(cè)試VI源表

    晶圓/芯片微弱電流測(cè)試VI源表

    武漢普賽斯儀表晶圓/芯片微弱電流測(cè)試VI源表標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集，Y秀的性價(jià)比，良好的售后服務(wù)與技術(shù)支持，集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作S系列源表 應(yīng)用 分立器件特性測(cè)試：電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、
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    2026-01-15
  • wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備_晶圓片檢測(cè)儀

    wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備_晶圓片檢測(cè)儀

    SPA-6100wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備_晶圓片檢測(cè)儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試，旨在幫助加快前沿材
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    2026-01-15
  • IC芯片電特性測(cè)試數(shù)字源表

    IC芯片電特性測(cè)試數(shù)字源表

    IC芯片電特性測(cè)試數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，普賽斯S系列、P系列源表標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集，Y秀的性價(jià)比，良好的售后服務(wù)與技術(shù)支持，詳詢一八一四零六六三四七六；普賽斯儀表是手家國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表生產(chǎn)廠家，產(chǎn)品已經(jīng)歷3年迭代完善，對(duì)標(biāo)2400、2450、2611、2601B、2651
    面議
    2026-01-15
  • 半導(dǎo)體分立器件電性能iv測(cè)試系統(tǒng)

    半導(dǎo)體分立器件電性能iv測(cè)試系統(tǒng)

    半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件（DUT）施加電壓或電流，然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng)；通常半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析，過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí)，還占
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    2026-01-15
  • 柔性傳感器電性能測(cè)試VI源表

    柔性傳感器電性能測(cè)試VI源表

    普賽斯儀表攜手業(yè)內(nèi)知名廠商共同打造的柔性電子材料測(cè)試系統(tǒng),通過(guò)組合不同動(dòng)作的測(cè)試夾具,可以模擬扭、轉(zhuǎn)、彎、折、卷等5種基本測(cè)試動(dòng)作, 11個(gè)基礎(chǔ)模擬測(cè)試動(dòng)作,實(shí)現(xiàn)一機(jī)多用,讓柔性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)化。不僅可以測(cè)試柔性材料的折、彎、扭、拉、卷等五種基本動(dòng)作,而且可以進(jìn)行柔性材
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    2026-01-15
  • GaN SiC三代半功率器件測(cè)試設(shè)備

    GaN SiC三代半功率器件測(cè)試設(shè)備

    PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)、精益打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng)，是一款能夠提供IV、 CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬
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    2026-01-15
  • IC電氣特性測(cè)試數(shù)字源表

    IC電氣特性測(cè)試數(shù)字源表

    普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下nA級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%
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    2026-01-15
  • 電流-導(dǎo)通電壓掃描測(cè)試脈沖電源300A大電流源

    電流-導(dǎo)通電壓掃描測(cè)試脈沖電源300A大電流源

    普賽斯HCPL030系列高電流脈沖電源為脈沖恒流源，產(chǎn)品具有輸出脈沖邊沿陡（10μs）、測(cè)試效率高（40ms，外部控制繼電器）、支持兩路脈沖電壓測(cè)量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。單臺(tái)輸出電流300A，支持至少六臺(tái)以上多設(shè)備并聯(lián)測(cè)量。設(shè)備主要針對(duì)晶圓測(cè)試，可用于300A
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    2026-01-15
  • 電流響應(yīng)時(shí)間測(cè)試脈沖電源

    電流響應(yīng)時(shí)間測(cè)試脈沖電源

    普賽斯HCPL100型高電流脈沖電源為脈沖恒流源，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（15us）、支持兩路脈沖電壓測(cè)量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。 設(shè)備可廣泛應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合，使用該設(shè)
    面議
    2026-01-15
  • SMU數(shù)字源表搭建場(chǎng)效應(yīng)晶體管IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)平臺(tái)

    SMU數(shù)字源表搭建場(chǎng)效應(yīng)晶體管IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)平臺(tái)

    本科生微電子器件及材料實(shí)驗(yàn)?zāi)夸? 實(shí)驗(yàn)一：金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)二：四探針?lè)y(cè)量半導(dǎo)體電阻率測(cè)試實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)三： MOS電容的CV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)四：半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測(cè)試實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)五：激光二極管LD的LIV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)六：太陽(yáng)能電
    面議
    2026-01-15
  • 高電壓大電流-半導(dǎo)體功率測(cè)試設(shè)備

    高電壓大電流-半導(dǎo)體功率測(cè)試設(shè)備

    PMST系列高電壓大電流-半導(dǎo)體功率測(cè)試設(shè)備是武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)，精益打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng)，是一致能夠提供IV，CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET.BJT、 IGB
    面議
    2026-01-15
  • 分立器件檢測(cè)儀iv+cv測(cè)試儀

    分立器件檢測(cè)儀iv+cv測(cè)試儀

    SPA-6100分立器件檢測(cè)儀iv+cv測(cè)試儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試，旨在幫助加快前沿材料研究、半
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    2026-01-15
  • 功率mos測(cè)試脈沖源表30A數(shù)字源表

    功率mos測(cè)試脈沖源表30A數(shù)字源表

    PXOOB系列功率mos測(cè)試脈沖源表30A數(shù)字源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達(dá)30A，Z大輸出電壓達(dá)300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。PXOOB系列源
    面議
    2026-01-15
  • DC參數(shù)測(cè)試iv掃描源表

    DC參數(shù)測(cè)試iv掃描源表

    芯片測(cè)試作為芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、封裝、測(cè)試流程中的重要步驟，是使用特定儀器，通過(guò)對(duì)待測(cè)器件DUT(DeviceUnderTest)的檢測(cè)，區(qū)別缺陷、驗(yàn)證器件是否符合設(shè)計(jì)目標(biāo)、分離器件好壞的過(guò)程。其中直流參數(shù)測(cè)試是檢驗(yàn)芯片電性能的重要手段之一，常用的測(cè)試方法是FIMV（加電流測(cè)電壓）
    面議
    2026-01-15
  • 1200V半導(dǎo)體分析儀替代4200

    1200V半導(dǎo)體分析儀替代4200

    SPA-6100型1200V半導(dǎo)體分析儀替代4200是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試，旨在幫助加快前沿材料研究、
    面議
    2026-01-15
  • 電阻式傳感器電性能分析SMU數(shù)字源表

    電阻式傳感器電性能分析SMU數(shù)字源表

    電阻式傳感器電性能分析SMU數(shù)字源表 實(shí)時(shí)測(cè)試多種材料在同-環(huán)境條件下的電阻值的反應(yīng)靈敏; 在低電壓下進(jìn)行下高范圍跨度(Q、 KQ、MQ、GQ)的電阻測(cè)量，測(cè)試設(shè)備輸入電阻要求高; I/N曲線掃描; 上位機(jī)實(shí)時(shí)顯示各不同壓敏電阻R/t曲線，并可記錄存檔。 S系列源表+上位機(jī)軟件
    面議
    2026-01-15
  • 高電壓大電流功率器件測(cè)試機(jī)

    高電壓大電流功率器件測(cè)試機(jī)

    普賽斯儀表專(zhuān)業(yè)研究和開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專(zhuān)業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和
    面議
    2026-01-15
  • 霍爾延時(shí)響應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)電流傳感器測(cè)試設(shè)備

    霍爾延時(shí)響應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)電流傳感器測(cè)試設(shè)備

    產(chǎn)品簡(jiǎn)介 霍爾延時(shí)響應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)電流傳感器測(cè)試設(shè)備集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量各種電流傳感器（霍爾電流傳感器、羅氏線圈、皮爾森線圈等）的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù)，單臺(tái)大電流源電流可高達(dá)1000A。該系統(tǒng)可測(cè)量不同電流傳感器的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù)，具有大電流特性、極快
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    2026-01-15
  • 二三極管iv測(cè)試儀iv曲線掃描儀

    二三極管iv測(cè)試儀iv曲線掃描儀

    半導(dǎo)體分立器件根據(jù)基材不同,可分為不同類(lèi)型。以硅基半導(dǎo)體為基材時(shí),半導(dǎo)體分立器件主要包括二極管(Diode)、三極管(BJT)、晶閘管(SCR)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等；以寬禁帶材料半導(dǎo)體為基材時(shí),半導(dǎo)體分立器件主要包括:SiC.GaN半導(dǎo)體功率器件。
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    2026-01-15
  • 晶體管iv圖示儀分立器件檢測(cè)儀

    晶體管iv圖示儀分立器件檢測(cè)儀

    晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，是一種半導(dǎo)體器件，放大器或電控開(kāi)關(guān)常用；包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管（后三者均為三端子）等。晶體管具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模
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    2026-01-15
  • apd暗電流測(cè)試數(shù)字源表

    apd暗電流測(cè)試數(shù)字源表

    在APD的光電特性中，暗電流是一個(gè)重要的參數(shù)。暗電流是指在沒(méi)有光照射的情況下，APD中由于熱激發(fā)等原因?qū)е碌碾娮悠坪碗娮?空穴對(duì)產(chǎn)生而產(chǎn)生的電流，暗電流測(cè)試的準(zhǔn)確性對(duì)于評(píng)估APD的性能和穩(wěn)定性非常重要。在進(jìn)行APD暗電流測(cè)試時(shí)，通常面臨如下挑戰(zhàn)：測(cè)試環(huán)境影響、連接
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    2026-01-15
  • 旁路二極管熱性能測(cè)試脈沖電流源

    旁路二極管熱性能測(cè)試脈沖電流源

    熱斑效應(yīng)：太陽(yáng)能電池一般是由多塊電池組件串聯(lián)或并聯(lián)起來(lái)。串聯(lián)支路中可能由于電池片內(nèi)部缺陷或者外部遮擋，將被當(dāng)作負(fù)載消耗其他有光照的太陽(yáng)電池組件所產(chǎn)生的能量。被遮蔽的太陽(yáng)電池組件此時(shí)會(huì)嚴(yán)重發(fā)熱而受損。旁路二極管是指并聯(lián)于太陽(yáng)能電池板正負(fù)極兩端之間的二極管，
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    2026-01-15
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