全武漢儀器/儀表信息
共找到 147 條信息-
igbt模塊測試設(shè)備功率器件測試儀
普賽斯igbt模塊測試設(shè)備功率器件測試儀,集多種測量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如面議2026-02-25 -
pA級微電流數(shù)字源表IV測試源表
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體,支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測量、3500V高壓下nA級測量、1000A脈沖大電流輸出,全系列產(chǎn)品豐富,pA級微電流數(shù)字源表IV測試源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六; 源表特點: 多面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體分立器件測試設(shè)備參數(shù)分析源表
半導(dǎo)體分立器件泛指二極管、三極管等具有單一功能的半導(dǎo)體元器件,用于電力電子設(shè)備的整流、穩(wěn)壓、開關(guān)、混頻等電路中,是構(gòu)成電力電子變化裝置的核心器件之一,在消費電子、汽車電子、電子儀器儀表、工業(yè)及自動化控制、計算機及周邊設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)通訊等眾多國民經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域均有廣面議2026-02-25 -
電流階躍測試電源高電流脈沖源
電流階躍測試電源高電流脈沖源為脈沖恒流源,具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(15uS)、支持兩路脈沖電壓測量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點。 設(shè)備可廣泛應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測試場合,使用該設(shè)面議2026-02-25 -
直流30A大電流數(shù)字源表
HCP系列直流30A大電流數(shù)字源表具備直流和脈沖輸出能力,最大脈沖輸出電流100A,最大輸出電壓100V,支持四象限工作,輸出及測量精度均可達(dá)0.1%,可廣泛用于功率MOS測試、肖特二極管測試、整流橋堆測試及太陽能電池模組測試等。詳詢一八一四零六六三四七六; 應(yīng)用 ?納米材面議2026-02-25 -
SMU電流模塊
SMU電流模塊認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準(zhǔn)確度提升至±0.03%,直流電流升級至3A,可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測試方案?;詳詢一八一四零六六三四七六; S型數(shù)字源表應(yīng)用優(yōu)勢: 1、多功能面議2026-02-25 -
功率模塊igbt測試設(shè)備igbt測試儀
普賽斯功率模塊igbt測試設(shè)備igbt測試儀,集多種測量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如面議2026-02-25 -
壓力傳感器測試儀
通常,壓力傳感器Ⅳ特性測試需要幾臺儀器完成,如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而,由數(shù)臺儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測量和分析,過程既復(fù)雜又耗時,還占用過多測試臺的空間。而且,使用單一功能的測試儀器和激勵源還存在復(fù)雜的相互間觸發(fā)操作,有更大的面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體器件電性能測試儀表高精度數(shù)字源表
半導(dǎo)體器件電性能測試儀表高精度數(shù)字源表找普賽斯儀表,普賽斯數(shù)字源表國產(chǎn)自主研發(fā),對標(biāo)美國2400,B2901;可實現(xiàn)“源”的輸出和“表”的測量同步進(jìn)行,提高測試效率;支持四象限工作,測量范圍廣,電壓高至300V,電流低至10pA;支持USB存儲,一鍵導(dǎo)出數(shù)據(jù)報告;5寸觸摸顯示屏面議2026-02-25 -
SMU數(shù)字源表搭建微電子教學(xué)實驗平臺
在半導(dǎo)體材料和器件的研究中,電性能測試是必不可少的環(huán)節(jié)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的提升,微電子工藝逐漸復(fù)雜,如何對微電子材料器件進(jìn)行高效率測試成為業(yè)內(nèi)關(guān)注的重點。普賽斯儀表陸續(xù)推出多型號國產(chǎn)化數(shù)字源表SMU,為進(jìn)一步打通測試融合壁壘,打造閉環(huán)解決方案,通過對半導(dǎo)體高面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體性能檢測設(shè)備iv曲線測試儀
實施特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表(SMU)。普賽斯歷時多年打造了高精度、大動態(tài)范圍、率先國產(chǎn)化的源表系列產(chǎn)品,集電壓、電流的輸入輸出及測量等功能于一體??勺鳛楠毩⒌暮銐涸椿蚝懔髟?、伏特計、安培計和歐姆表,還可用作精密電子負(fù)載。其高性能架構(gòu)還允許將其面議2026-02-25 -
電化學(xué)實驗循環(huán)伏安測試儀
電化學(xué)電池的三個電極是工作電極 (WE)、基準(zhǔn)電極 (RE) 和反(或輔助)電極 (CE)。WE 和 CE 之間使用雙極性可編程電源進(jìn)行電壓掃描。RE與 WE 之間的電位E使用數(shù)字電壓表測量,然后調(diào)節(jié)雙極性可編程電源輸出電壓VS,使E為希望的電位值,這時使用萬用表測量流入WE的電流I。之后面議2026-02-25 -
功率半導(dǎo)體參數(shù)測試儀3500V/1000A
普賽斯PMST功率半導(dǎo)體參數(shù)測試儀3500V/1000A,主要包括測試主機、測試線、測試夾具、電腦、上位機軟件,以及相關(guān)通訊、測試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測試主機,內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測量單元模塊。結(jié)合專用上位機測試軟件,可根據(jù)測試項目需要,設(shè)面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體器件參數(shù)測試儀半導(dǎo)體參數(shù)分析儀
SPA-6100半導(dǎo)體器件參數(shù)測試儀半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測試系統(tǒng),具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試,旨在幫助加快前沿面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試儀+功率器件測試設(shè)備
普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段,實現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和面議2026-02-25 -
低壓型數(shù)字源表
數(shù)字源表現(xiàn)廣泛用于半導(dǎo)體器件特性測試中,省錢省地,節(jié)約測試臺空間,同時實現(xiàn)了大動態(tài)測試范圍,集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能于一體,普賽斯源表相對于進(jìn)口源表,測試范圍更廣,價格更便宜!最大輸出電壓達(dá)300V,最小測試電流達(dá)100pA,支持四象限工作;SXXB系列面議2026-02-25 -
直流3A半導(dǎo)體分立器件測試儀
通常分立器件特性參數(shù)測試需要幾臺儀器完成,如數(shù)字萬用表、 電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測量和分析,過程既復(fù)雜又耗時,又占用過多測試臺的空間;實施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表(SMU)。數(shù)字源表面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體IV特性曲線分析儀
半導(dǎo)體IV特性曲線分析儀認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六;普賽斯五合一高精度數(shù)字源表(SMU)可為高??蒲泄ぷ髡?、器件測試工程師及功率模塊設(shè)計工程師提供測量所需的工具,接線簡單、方便操作。 利用數(shù)字源表簡化半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測試面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體分立器件測試設(shè)備高電壓+大電流
實施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表(SMU)。數(shù)字源表可作為獨立的恒壓源或恒流源、伏特計、安培計和歐姆表,還可用作精密電子負(fù)載,其高性能架構(gòu)還允許將其用作脈沖發(fā)生器、波形發(fā)生器和自動電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng),支持四象限工作。 利用數(shù)面議2026-02-25 -
場效應(yīng)MOS管特性曲線測試國產(chǎn)源表
使用普賽斯S系列高精度數(shù)字源表、P系列高精度臺式脈沖源表對MOSFET常見參數(shù)進(jìn)行測試。 輸入/輸出特性測試 針對1A以下的MOSFET器件,推薦2臺S系 列源表搭建測試方案,Z大電壓300V,Z大電流1A, 最小電流100pA,可以滿足小功率MOSFET測試的需求。 針對Z大電流為面議2026-02-25 -
三極管反向擊穿電壓測試SMU數(shù)字源表
三極管是半導(dǎo)體基本元器件之一,設(shè)計電路中常常會關(guān)注的參數(shù)有電流放大系數(shù)β、極間反向電流ICBO、ICEO、集電極最大允許電流ICM、反向擊穿電壓VEBO、VCBO、VCEO以及三極管的輸入輸出特性曲線等參數(shù)。 根據(jù)材料以及用途不同,三極管器件的電壓、電流技術(shù)參數(shù)也不同,針對1A以面議2026-02-25 -
二極管反向漏電流測試國產(chǎn)源表
普賽斯二極管反向漏電流測試國產(chǎn)源表 二極管是一種使用半導(dǎo)體材料制作而成的單向?qū)?電性元器件,產(chǎn)品結(jié)構(gòu)一般為單個PN結(jié)結(jié)構(gòu),只允許電流從單一方向流過。發(fā)展至今,已陸續(xù)發(fā)展出整流二 極管、肖特基二極管、快恢復(fù)二極管、PIN二極管、光電 二極管等,具有安全可靠等面議2026-02-25 -
PMST-3500V大功率激光器LIV測試及老化系統(tǒng)
普賽斯PMST-3500V大功率激光器LIV測試及老化系統(tǒng)是專為解決千瓦級大功率半導(dǎo)體激光器芯片及泵浦激光器模塊需要使用窄脈沖大電流測試和老化、芯片發(fā)熱嚴(yán)重等問題而創(chuàng)新開發(fā)推出的一套通用性好、大功率、循環(huán)水冷的老化測試系統(tǒng)。產(chǎn)品具有大電流窄脈沖恒流特性好、電流穩(wěn)定、面議2026-02-25 -
數(shù)字源表如何選型
目前市場上數(shù)字源表琳瑯滿目,如何選擇適合自己、或性價比高的源表成為眾多買家比較頭疼的問題,其實只要了解到以下參數(shù),就不難選型了: 1、源的輸出范圍 2、通道數(shù) 3、是否支持脈沖輸出 4、測量的精度 5、測量的速度(采樣率)等 確定了以上參數(shù)后,就面議2026-02-25 -
數(shù)字源表測試柔性電子材料
柔性電子又稱為塑料電子、印刷電子、有機電子、聚合體電子等,將有機或者無機材料電子器件制作在柔性、可延性塑料或薄金屬基板上的新興電子技術(shù)。由于FPC柔性線路板及電子系統(tǒng)可實現(xiàn)彎曲、折疊、延展,且功能不會因此而受到影響,其獨特的柔性和延展性使得柔性電子在信息、面議2026-02-25 -
數(shù)字源表測LDO芯片電性能
LDO,全稱為“Low Dropout Regulator”,是一種低壓差線性穩(wěn)壓元器件。其工作原理為,使用在其飽和區(qū)域內(nèi)運行的晶體管或場效應(yīng)管(FET),從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓,產(chǎn)生經(jīng)過調(diào)節(jié)的輸出電壓。相比于傳統(tǒng)的DC-DC變換器,LDO具有成本低,噪音低,靜態(tài)電流小的特點,需面議2026-02-25 -
數(shù)字源表測電阻率四探針法
電阻率是用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量,某種材料制成的長為1米,橫截面積為1平方米的導(dǎo)體的電阻,在數(shù)值上等于這種材料的電阻率。它反映物質(zhì)對電流阻礙作用的屬性,它與物質(zhì)的種類有關(guān),還受溫度、濕度等因素的影響。在實際中我們可能需要測試一些薄而平的材料的電阻率面議2026-02-25 -
高電流脈沖電源測試電流傳感器響應(yīng)時間
高電流脈沖電源測試電流傳感器響應(yīng)時間認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六 ;高電流脈沖電源為脈沖恒流源,具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(10uS)、支持兩路脈沖電壓測量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點。 設(shè)備可廣泛應(yīng)用于肖特面議2026-02-25 -
大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀
大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀集多種測量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級電阻,pA級電流精準(zhǔn)測量等特點。支持高壓模式下測量面議2026-02-25 -
替代2657高壓程控電源
E系列高壓程控電源 特點和優(yōu)勢: 10ms級的上升沿和下降沿; 單臺最大3000V的輸出; 同步電流測量; 替代2657高壓程控電源具有輸出及測量電壓高(3000V)、能輸出及測量微弱電流信號(1nA)的特點。設(shè)備工作在第一象限,輸出及測量電壓0~3000V,輸出及測量電面議2026-02-25 -
3000V/4000A功率器件分析儀
普賽斯3000V/4000A功率器件分析儀特點和優(yōu)勢: 單臺Z大3000V輸出; 單臺Z大1000A輸出,可并聯(lián)后Z大4000A; 10us的超快電流上升沿; 同步測量; 國標(biāo)全指標(biāo)的自動化測試;詳詢一八一四零六六三四七六 普賽斯3000V/4000A功率器件分析儀集多種測量和分面議2026-02-25 -
國產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀
國產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可測項目 集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces 集電極-發(fā)射極飽和電壓Vce sat 集電極電流Ic,集電極截止電流Ices 柵極漏電流Iges,柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th) 柵極電阻Rg 電容測量 I-V特性曲線掃描,C-面議2026-02-25 -
國產(chǎn)脈沖源表IV測試憶阻器
國產(chǎn)脈沖源表IV測試憶阻器認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六;P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達(dá)10A,Z大輸出電壓達(dá)300V,支持四象限工面議2026-02-25 -
板卡式功率半導(dǎo)體IGBT靜態(tài)參數(shù)測試機
普賽斯ATE-3146靜態(tài)測試機是一款專注于Si/SiC MOSFET、IGBT、GaN HEMT等功率芯片及器件的靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng);采用PXIe通信架構(gòu)方案,支持板卡靈活擴(kuò)展與高精度電學(xué)特性分析;支持單卡1200V大電壓、單卡400A大電流輸出,且蕞大可擴(kuò)展至3500V、2000A;可與探針臺(Prober)、分選面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體芯片器件參數(shù)分析儀ivcv曲線測試機
SPA6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益 打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測試系統(tǒng),具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試,旨在幫助加快前沿材料研究、半導(dǎo)體面議2026-02-25 -
30A+1us脈沖源
30A+1us脈沖源的簡述: 作用: 主要應(yīng)用于VCSEL激光器、大功率LED的測試 功能: 實現(xiàn)窄脈沖加電的LIV測試 特點: (1)超窄脈沖大電流電流加電,能夠滿足VCSEL的晶圓和芯片的測試需要; (2)支持脈沖光功率和器件脈沖電壓采樣功能。是LIV測試的系統(tǒng)解決方案; (3面議2026-02-25
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